Жуков, Алексей Евгеньевич

Перейти к навигацииПерейти к поиску
Алексей Евгеньевич Жуков
Дата рождения9 февраля 1968(1968-02-09) (56 лет)
Место рожденияЛенинград
Страна СССР Россия
Род деятельностиучёный
Научная сферафизика полупроводников
Место работыФизико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН
Альма-матерЛенинградский электротехнический институт
Учёная степеньдоктор физико-математических наук (2002)
Учёное званиепрофессор
член-корреспондент РАН (2008)
Награды и премии

Алексей Евгеньевич Жуков (род. 1968) — специалист в области полупроводниковых наноструктур и электронных приборов на их основе, член-корреспондент РАН (2008).

Биография

Родился 9 февраля 1968 года в Ленинграде.

В 1992 году — с отличием окончил кафедру оптоэлектроники факультета электронной техники Ленинградского электротехнического института (ЛЭТИ), (в настоящее время — Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет).

В 1996 году — защитил кандидатскую диссертацию, тема: «Квантово-размерные напряженные гетероструктуры в системе (In,Ga,Al)As: Технология получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств».

В 2002 году — защитил докторскую диссертацию, тема: «Инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек».

В 2008 году — избран членом-корреспондентом РАН.

Трудовая и преподавательская деятельность[2]

Научная деятельность

Область научных интересов: физика полупроводников, эпитаксиальное выращивание полупроводниковых соединений, низкоразмерные гетероструктуры, полупроводниковые лазеры

Основные научные результаты:

  • разработчик воспроизводимой технологии синтеза многослойных массивов полупроводниковых квантовых точек, которая позволяет управлять их структурными и оптическими свойствами и расширять спектральный диапазон излучения в область лазерной оптической связи;
  • развил теорию лазеров на основе многослойных массивов квантовых точек и установил взаимосвязь электронных и структурных параметров массива квантовых точек с приборными характеристиками лазеров, объяснил эффекты отрицательной характеристической температуры и индуцированного током перехода к генерации через возбужденное состояние;
  • разработал высокоэффективные низкопороговые температурно-стабильные инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек для систем оптической передачи информации, решил проблему надежности подобных лазеров.

Автор 276 опубликованных работ.

Под его руководством защищены 2 кандидатских и 1 докторская диссертации.

Награды

  • Премия имени А. Ф. Иоффе Правительства Санкт-Петербурга (2017) - за выдающиеся научные результаты в области оптических микрорезонаторов и микролазеров на основе квантовых точек для нового поколения оптической связи, внесшие значительный вклад в развитие физики полупроводниковых наноструктур и техники полупроводниковых лазеров[3]
  • Благодарность Президента Российской Федерации (5 февраля 2024 года) — за заслуги в развитии отечественной науки, многолетнюю плодотворную деятельность и в связи с 300-летием со дня основания Российской академии наук[4]

Примечания

  1. 1 2 Жуков Алексей Евгеньевич (ИС АРАН). isaran.ru. Дата обращения: 29 августа 2017.
  2. Информация о сотруднике: Жуков Алексей Евгеньевич (Сайт Академического университета). spbau.ru. Дата обращения: 29 августа 2017. Архивировано из оригинала 4 сентября 2017 года.
  3. В Смольном вручены премии за выдающиеся научные результаты в области науки и техники. gov.spb.ru. Дата обращения: 16 сентября 2017. Архивировано 30 сентября 2017 года.
  4. Распоряжение Президента Российской Федерации от 5 февраля 2024 года № 32-рп «О поощрении». Дата обращения: 5 февраля 2024. Архивировано 5 февраля 2024 года.

Ссылки