Ивченко, Еугениюс Левович

Еугениюс Левович Ивченко
Еугениюс Левович Ивченко
Дата рождения	2 февраля 1946 (78 лет)
Место рождения	ЛитССР
Страна	СССР→ Россия
Род деятельности	физик
Научная сфера	физика полупроводников
Место работы	Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН,; СПб ГПУ,; Академический университет РАН
Альма-матер	Ленинградский политехнический институт
Учёная степень	доктор физико-математических наук (1982)
Учёное звание	профессор; академик РАН (2022)

Еугениюс Левович Ивченко (род. 2 февраля 1946 года) — советский и российский физик, специалист в области физики полупроводников, академик РАН (2022).

Биография

Родился 2 февраля 1946 года в Литовской ССР.

В 1970 году с отличием окончил факультет радиоэлектроники Ленинградского политехнического института.

В 1974 году защитил кандидатскую диссертацию, тема: «Оптическая ориентация и нелинейное поглощение в полупроводниках».

В 1982 году защитил докторскую диссертацию, тема: «Новые оптические явления в полупроводниках со сложной зоной структурой».

Работает в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе РАН, длительное время заведовал сектором.

Профессор кафедры твердотельной электроники физико-технического факультета СПбПУ (по совместительству), также читает курс лекций в Академическом университете РАН.

В 2011 году избран членом-корреспондентом РАН.

В 2022 году избран академиком РАН^[2].

Член клуба «1 июля»^[3].

Научная деятельность

Основные научные результаты:

заложено новое направление в нанофотонике — резонансные фотонные кристаллы и квазикристаллы;
заложены основы теории слабой локализации в физике твердого тела;
предсказаны и исследованы циркулярный фотогальванический эффект, прямой и обратный спин-гальванические эффекты в гиротропных средах, орбитально-долинные фототоки;
построена теория тонкой структуры низкоразмерных экситонов;
исследованы эффекты, обусловленные анизотропией химических связей на интерфейсах;
решены задачи об эффекте Зеемана в наноструктурах и о влиянии магнитного поля, а также электрон-электронного взаимодействия на прецессионный механизм спиновой релаксации;
построена теория резонансной слабой гиротропии и магнитоиндуцированной дисперсии диэлектрических осей.

Ведёт преподавательскую работу в Санкт-Петербургском политехническом университете.

Под его руководством защищено 12 кандидатских и 2 докторских диссертации.

Член редколлегии журналов «Физика твёрдого тела» и «Solid State Communications», член учёного совета ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, двух диссертационных советов.

Публикации

Автор более 300 публикаций в научных журналах и трех монографий, в том числе:

E.L. Ivchenko, G.E. Pikus, Superlattices and other heterostructures. Symmetry and optical phenomena, Springer-Verlag, 1995; second edition 1997.
E.L. Ivchenko, Optical spectroscopy of semiconductor nanostructures", Alpha Science International, Harrow, UK, 2005.
A.N. Poddubny , E.L.Ivchenko, Photonic quasicrystalline and aperiodic structures, Physica E 42(7) (2010) 187.
E.L. Ivchenko, S.D. Ganichev, Ratchet effects in quantum wells with a lateral superlattice, Письма в ЖЭТФ 93(11/12) (2011) 752.
Е. Л. Ивченко, Спиновая физика в полупроводниковых наносистемах, УФН 182(8) (2012) 869.

Награды

Медаль ордена «За заслуги перед Отечеством» I степени (2024)^[6]
Медаль ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени (2010)^[7]
Медаль «В память 300-летия Санкт-Петербурга» (2003)
лауреат премии ФТИ имени А. Ф. Иоффе за лучшую работу (2002, 2004, 2006, 2008, 2010)
Премия имени Иоффе Физико-технического института РАН (2009)
Премия имени А. Ф. Иоффе в области физики и астрономии Правительства Санкт-Петербурга (2015) — за создание теории оптических и фотогальванических эффектов в низкоразмерных системах^[8]
Нагрудный знак МОН РФ «Почётный наставник» (2021)^[9]