56°28′36″ с. ш. 85°03′00″ в. д.HGЯO

Институт сильноточной электроники СО РАН

Перейти к навигацииПерейти к поиску
Учреждение Российской академии наук Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН
(ИСЭ СО РАН)
Основан1977
Материнская организацияОтдел физических наук, Минобрнауки России[3] и ТНЦ СО РАН
ДиректорНиколай Александрович Ратахин, профессор[1]
Сотрудников130[2]
Расположение Россия, Томск
Юридический адрес 634055, Томск, пр. Академический, 2/3
Сайтnew.hcei.tsc.ru

Институт сильноточной электроники СО РАН — один из институтов Томского научного центра Сибирского отделения Российской академии наук. Расположен в Томском академгородке.

Из-за вторжения России на Украину институт находится под санкциями всех стран Евросоюза[4], США[5], Японии[6], Украины и Швейцарии[7].

Общие сведения

Основными направлениями научной деятельности института являются разработка приборов сильноточной электроники, проблемы физической электроники, устройств и технологий, а также физика низкотемпературной плазмы и основы её применения в технологических процессах и другие современные проблемы физики плазмы[8].

Разработки

В 1977 г. в НИИ были созданы мощные компактные генераторы линейно поляризованных однонаправленных пучков сверхширокополосного электромагнитного излучения с наносекундной и субнаносекундной длительностью импульса. Разработка была осуществлена в рамках исследования действия сверхмощных гига- и тераваттных электрических импульсов на электронную аппаратуру[9].

История

Институт был создан в 1977 году в Томском академгородке[2].

Директора

Институт возглавляли[2]:

Структура

  • Отдел импульсной техники — заведующий лабораторией и затем отделом по настоящее время доктор технических наук, академик РАН Ковальчук, Борис Михайлович[10]
  • Отдел высоких плотностей энергии (основатель и первый руководитель лаборатории и отдела Лучинский, Андрей Владимирович[11])
  • Отдел физической электроники
  • Лаборатория плазменной эмиссионной электроники (заведующие: П. М. Щанин, до мая 2001 года, а затем Н. Н. Коваль)[12]
  • Лаборатория высокочастотной электроники (с 1977 по 1986 год руководил академик С. П. Бугаев, а затем доктор физматнаук В. И. Кошелев)[13]
  • Лаборатория вакуумной электроники
  • Лаборатория газовых лазеров
  • Лаборатория оптических излучений
  • Лаборатория низкотемпературной плазмы
  • Лаборатория прикладной электроники
  • Лаборатория теоретической физики
  • Лаборатория плазменных источников
  • Конструкторско-технологический отдел
  • Группа автоматизации научных исследований

Дирекция

  • Директор — Ратахин, Николай Александрович, академик РАН, профессор, доктор физико-математических наук[1][14]
  • Зам. директора по научной работе:
    • Турчановский Игорь Юрьевич, кандидат физико-математических наук
    • Коваль Николай Николаевич, доктор технических наук
  • Научный руководитель

См. также

Примечания

  1. ↑ 1 2 Руководство ИСЭ СО РАН. Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 30 марта 2017 года.
  2. ↑ 1 2 3 http://www.hcei.tsc.ru/ru/cat/history/history.html Архивная копия от 30 ноября 2009 на Wayback Machine История Института сильноточной электроники СО РАН]
  3. ↑ Единый Государственный Реестр Юридических Лиц, ЕГРЮЛ
  4. ↑ Official Journal of the European Union L153. Дата обращения: 15 января 2023. Архивировано 3 июня 2022 года.
  5. ↑ Минторг США включит в санкционный лист 120 военных предприятий из России и Беларуси. Полный список. Белсат. Дата обращения: 15 января 2023.
  6. ↑ Япония запретила ввоз связанных с химоружием товаров в РФ. ПРАВО. Дата обращения: 15 января 2023. Архивировано 15 января 2023 года.
  7. ↑ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ СИЛЬНОТОЧНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК. Война и санкции. Дата обращения: 15 января 2023. Архивировано 15 января 2023 года.
  8. ↑ Основные направления научной деятельности Института сильноточной электроники СО РАН. Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 2 марта 2014 года.
  9. ↑ Гуревич В. И. «Микропроцессорные реле защиты. Устройства. Проблемы. Перспективы.» «Инфра-Инженерия», 2011 г.
  10. ↑ Отдел импульсной техники. Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 28 октября 2009 года.
  11. ↑ Отдел ВПЭ. Дата обращения: 24 октября 2018. Архивировано 24 октября 2018 года.
  12. ↑ Лаборатория плазменной эмиссионной электроники. Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 28 октября 2009 года.
  13. ↑ Лаборатория высокочастотной электроники. Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 28 октября 2009 года.
  14. ↑ Дирекция ИСЭ СО РАН. Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 18 апреля 2009 года.

Ссылки