МЦСТ-R1000

Перейти к навигацииПерейти к поиску

МЦСТ R-1000 (проектное название МЦСТ-4R, маркируется как «1891ВМ6Я») — микропроцессор российской фирмы МЦСТ из серии процессоров МЦСТ-R, основанной на архитектуре SPARC, которая изначально была разработана в 1985 году компанией Sun Microsystems. Является наиболее производительным российским микропроцессором архитектуры SPARC на середину 2015 года. Программно совместим с архитектурой SPARC v9 и векторными расширениями VIS1 и VIS2; также имеет свои собственные расширения системы команд.

Представляет собой четырёхъядерную систему на кристалле с встроенными кэшем второго уровня, контроллером оперативной памяти и контроллерами периферийных каналов. Микросхема разработана по технологическим нормам 0,09 мкм с использованием библиотек стандартных элементов.

Микропроцессор R-1000 предназначен для высокопроизводительных вычислительных комплексов, одноплатных ЭВМ, носимых и встроенных решений, главным образом разработанных по заказу Министерства обороны Российской Федерации. Прошел государственные испытания и рекомендован к серийному производству.

Компьютеры на базе процессора R-1000 применяются в вычислительных центрах, системах предупреждения о ракетном нападении, а также в криптографическом оборудовании. Выпускаются небольшими партиями по несколько десятков комплектов в месяц, часть процессоров для удешевления производится на Тайване по российской документации, но в вычислительных комплексах СПРН применяются исключительно отечественные изделия.

Основные характеристики микропроцессора «R-1000»[1][2]
ХарактеристикиЗначения
1Технологический процессКМОП 0,09 мкм
2Рабочая тактовая частота1000 МГц
3Размер слов:32/64
4Кэш-память команд 1-го уровня16 Кбайт (4 way)
5Кэш-память данных 1-го уровня32 Кбайт (8 way)
6Встроенная кэш-память 2-го уровня2048 Кбайт
7Пиковая пропускная способность канала обмена с памятью4 Гбайт/с
8Производительность одного ядра (в терминах DhryStone):
GIPS
GFLOPS (FP32)
GFLOPS (FP64)

2
4
2
9Количество транзисторов180 млн
10Площадь кристалла128 мм²
11Количество слоев металла10
12Тип корпуса / количество выводовHFC BGA / 1156
13Напряжение питания1,0/1,8/2,5 В
14Потребляемая мощность, Вт20 Вт
15Процессорных ядер4

Разрабатывается модификация с малым потреблением энергии R-1000M[3], где ожидается потребляемая мощность не более 14 Вт.

Примечания

Ссылки