Ферромагнетизм — появление спонтанной намагниченности при температуре ниже температуры Кюри вследствие упорядочения магнитных моментов, при котором большая их часть параллельна друг другу. Это основной механизм, с помощью которого определённые материалы образуют постоянные магниты или притягиваются к магнитам. Вещества, в которых возникает ферромагнитное упорядочение магнитных моментов, называются ферромагнетиками.
Спинтроника — это область науки и техники, занимающаяся созданием, исследованием и применением электронных приборов, в которых спин электрона наравне с его зарядом используется для получения, обработки и передачи информации.
Гига́нтское магнетосопротивле́ние, гигантское магнитосопротивление, ГМС — квантовомеханический эффект, наблюдаемый в тонких металлических плёнках, состоящих из чередующихся ферромагнитных и проводящих немагнитных слоёв. Эффект состоит в существенном изменении электрического сопротивления такой структуры при изменении взаимного направления намагниченности соседних магнитных слоёв. Направлением намагниченности можно управлять, например, приложением внешнего магнитного поля. В основе эффекта лежит рассеяние электронов, зависящее от направления спина. За открытие гигантского магнетосопротивления в 1988 году физики Альбер Ферт и Петер Грюнберг были удостоены Нобелевской премии по физике в 2007 году.
Колоссальное магнитное сопротивление, КМС — квантовомеханический эффект, заключающийся в сильной зависимости электрического сопротивления материала от величины внешнего магнитного поля. Термин применяется в отношении некоторых ферромагнитных и антиферромагнитных полупроводников, обычно оксидов металлов на базе манганитов со структурой перовскита, в отличие от подобного явления в многослойных плёнках — эффект гигантского магнетосопротивления.
Травление в литографии — этап фотолитографического процесса, заключающийся в удалении негативного фоторезиста с необлученных участков или позитивного фоторезиста с облученных участков подложки, покрытой тонкой пленкой фоторезиста.
«Умные» материалы иначе «интеллектуальные» материалы — класс различных по химическому составу и агрегатному состоянию материалов, которые объединяет проявление одной или нескольких физических или физико-химических характеристик, значительно изменяющихся под влиянием внешних воздействий: давления, температуры, влажности, pH среды, электрического или магнитного поля и др. Умные материалы часто используются при создании умной одежды.
Ионно-трековая технология — метод формирования в твёрдых веществах и материалах узких каналов (треков), путём облучения (бомбардировки) частицами или тяжёлыми ионами.
Нанопечатная литография — технология, предназначенная для переноса изображения наноструктуры или электронной схемы на подложку с покрытием и включающая деформацию покрытия штампом с последующим травлением деформированного покрытия и формированием на подложке наноструктуры или элементов электронной схемы.
Голографическая интерференционная литография — технология, использующая литографический процесс с экспонированием (облучением) резиста интерферирующими лазерными или ультрафиолетовыми лучами или пучками синхротронного рентгеновского излучения.
Ультрафиолетовая литография — субмикронная технология, используемая для изготовления полупроводниковых микросхем; один из подвидов литографического процесса с экспонированием фоторезиста «глубоким» или сверхжёстким ультрафиолетовым излучением.
Дифракционное определение среднего размера областей когерентного рассеяния — косвенный метод определения среднего размера малых частиц по уширению дифракционных отражений при уменьшении размера частиц (зёрен) компактных и порошкообразных наноструктурированных веществ и материалов.
Компактирование нанопорошков — принудительное уплотнение наноструктурированных материалов различными методами: холодным статическим прессованием с односторонним или двусторонним приложением давления; горячим аксиальным прессованием; холодным или горячим изостатическим прессованием в гидро- или газостатах; магнитно-импульсным, ударным, взрывным и ультразвуковым прессованием и другими.
Ультразвуковое прессование нанопорошков — метод сухого холодного компактирования керамических нанопорошков без применения пластификаторов.
Наноструктура — совокупность наноразмерных объектов искусственного или естественного происхождения, свойства которой определяются не только размером структурных элементов, но и их взаимным расположением в пространстве.
Спонтанно упорядоченные наноструктуры — периодические пространственно упорядоченные наноструктуры, спонтанно формирующиеся на поверхности твёрдых тел и в эпитаксиальных плёнках в процессах роста или отжига.
Осаждение плёнок и покрытий на подложку — способ получения непрерывных слоёв материала в виде плёнок или покрытий на холодной или подогретой поверхности подложки путём их осаждения из паров, плазмы или коллоидного раствора.
Нанотехнология типа «сверху вниз» — технология получения наноструктурированных материалов, в которой нанометровый размер частиц достигается с помощью измельчения более крупных частиц, порошков или зёрен твёрдого тела.
Нанотехнология типа «снизу вверх» — технология получения наноструктурированных материалов, в которой реализуется образование наночастиц из атомов и молекул, т. е. достигается укрупнение исходных элементов структуры до частиц нанометрового размера.
Спиннингование (англ. melt spinning technique) — способ получения аморфных металлических сплавов в виде тонких лент путём сверхбыстрого (со скоростью > 106 K/сек) охлаждения расплава на поверхности вращающегося холодного диска или барабана.
Спиновый вентиль или спиновый клапан — устройство, состоящее из двух или более проводящих магнитных материалов, чьё электрическое сопротивление может меняться между двумя значениями в зависимости от относительного выравнивания намагниченности в слоях. Изменение сопротивления при изменении намагниченности слоёв в такой вертикальной структуре является результатом эффекта гигантского магнетосопротивления. Магнитные слои устройства выравниваются «вверх» или «вниз» в зависимости от направления внешнего магнитного поля. В простейшем случае спиновый клапан состоит из немагнитного материала, зажатого между двумя ферромагнетиками, одним из которых является слой фиксированный (закрепленный) на антиферромагнетике, который действует так, чтобы поднять его магнитную коэрцитивность и ведет себя как «жесткий» слой, а другой ферромагнитный слой свободен и ведет себя как «мягкий» слой. Из-за разницы в коэрцитивности мягкий слой меняет полярность при меньших изменениях магнитного поля, чем твердый. При приложении магнитного поля соответствующей напряжённости мягкий слой, переключая полярность, может находиться в двух различных состояниях: параллельном, состояние с низким сопротивлением и антипараллельном, состояние с высоким сопротивлением.