Плазмотро́н — техническое устройство, в котором при протекании электрического тока через разрядный промежуток образуется плазма, используемая для обработки материалов или как источник света и тепла. Буквально, плазмотрон означает — генератор (производитель) плазмы.
Ла́зерная абля́ция — метод удаления вещества с поверхности лазерным импульсом. При низкой мощности лазера вещество испаряется или сублимируется в виде свободных молекул, атомов и ионов, то есть над облучаемой поверхностью образуется слабая плазма, обычно в данном случае тёмная, не светящаяся. При плотности мощности лазерного импульса, превышающей порог режима абляции, происходит микро-взрыв с образованием кратера на поверхности образца и светящейся плазмы вместе с разлетающимися твёрдыми и жидкими частицами (аэрозоля). Режим лазерной абляции иногда также называется лазерной искрой.
Пла́зменное напыле́ние — процесс нанесения покрытия на поверхность изделия с помощью плазменной струи.
Плазменная обработка — процесс обработки материалов при помощи низкотемпературной плазмы, генерируемой дуговыми или высокочастотными плазмотронами, с целью изменения формы, размеров, структуры обрабатываемого материала или состояния его поверхностного слоя. Разновидностями плазменной обработки являются: разделительная и поверхностная резка, нанесение покрытий, напыление, сварка.
Вакуумное напыление — группа методов напыления покрытий в вакууме, при которых покрытие получается путём прямой конденсации пара наносимого материала.
Покры́тие в материаловедении – это нанесённый на объект относительно тонкий поверхностный слой из другого материала. Целью нанесения покрытия является улучшение поверхностных свойств основного материала, обычно называемого материалом подложки. Улучшают, среди прочих, такие свойства, как внешний вид, адгезию, смачиваемость, стойкость к коррозии, износостойкость, стойкость к высоким температурам, электропроводность. Покрытия могут наноситься в жидкой, газообразной или твердой фазах, но в результате они составляют одно целое с основным материалом.
Магнетронное распыление — технология нанесения тонких плёнок на подложку с помощью катодного распыления мишени в плазме магнетронного разряда — диодного разряда в скрещённых полях. Технологические устройства, предназначенные для реализации этой технологии, называются магнетронными распылительными системами, или, сокращённо, магнетронами.
Плазмохимия — раздел физической химии, изучает химические и физико-химические процессы в низкотемпературной плазме.
Тонкие плёнки — тонкие слои материала, толщина которых находится в диапазоне от долей нанометра до нескольких микрон.
Хими́ческое осажде́ние из га́зовой фа́зы (ХОГФ) — процесс, используемый для получения высокочистых твёрдых материалов. Процесс часто используется в индустрии полупроводников для создания тонких плёнок. Как правило, при процессе CVD подложка помещается в пары одного или нескольких веществ, которые, вступая во взаимные реакции и/или разлагаясь, формируют на поверхности подложки слой необходимого вещества. Побочно часто образуется также газообразные продукты реакции, выносимые из камеры осаждения потоком газа-носителя.
Вакуумно-дуговое нанесение покрытий — это физический метод нанесения покрытий в вакууме, путём конденсации на подложку материала из плазменных потоков, генерируемых на катоде-мишени в катодном пятне вакуумной дуги сильноточного низковольтного разряда, развивающегося исключительно в парах материала электрода.
Атомно-слоевое осаждение (АСО) — это технология осаждения тонких плёнок, которая базируется на последовательных химических реакциях между паром и твёрдым телом и имеет свойство самоограничения. Большинство АСО-реакций используют два химических соединения, которые обычно называют прекурсорами. Такие прекурсоры поочередно вступают в реакцию с поверхностью. В результате многократного влияния прекурсоров происходит рост тонкой плёнки.
Исто́чники пла́змы - устройства, предназначенные для создания плазмы. Создание плазмы требует по меньшей мере частичной ионизации нейтральных атомов и/или молекул среды. В технике, как правило, для создания плазмы используются те или иные виды газового разряда.
Реакти́вное ио́нное травле́ние (РИТ) — технология удаления материала с поверхности подложки (травление), используемая в микроэлектронике, где химически активная плазма используется для удаления материала с подложки.
Микротехноло́гия — процесс изготовления структур, характерный масштаб которых — микрон или менее. Исторически процессы микротехнологии использовались для производства интегральных схем. В последние два десятилетия область применения этой группы методов расширилась за счёт микроэлектромеханических систем (МЭМС), аналитических микросистем, производства жёстких дисков, ЖК дисплеев, солнечных панелей.
Термическое напыление — широко распространённый метод вакуумного напыления. Исходный материал испаряется в вакууме. Вакуум позволяет частицам пара конденсироваться непосредственно на напыляемом изделии (подложке). Термическое напыление используется в микротехнологии и для изготовления таких изделий, как металлизированная пластиковая плёнка или тонированные стёкла.
Алмазоподобный углерод — материал из аморфного углерода, с преимущественно тетраэдральными связями углерода. Обладает некоторыми свойствами алмаза. Используется в виде твёрдых покрытий для защиты поверхностей других материалов.
Финишное плазменное упрочнение (ФПУ) — безвакуумный и бескамерный процесс плазмоструйного осаждения покрытий из газовой фазы с одновременной плазменной активацией газового потока и напыляемой поверхности детали.
Осаждение плёнок и покрытий на подложку — способ получения непрерывных слоёв материала в виде плёнок или покрытий на холодной или подогретой поверхности подложки путём их осаждения из паров, плазмы или коллоидного раствора.
Нанотехнология типа «снизу вверх» — технология получения наноструктурированных материалов, в которой реализуется образование наночастиц из атомов и молекул, т. е. достигается укрупнение исходных элементов структуры до частиц нанометрового размера.
