Ратахин, Николай Александрович

Перейти к навигацииПерейти к поиску
Николай Александрович Ратахин
Дата рождения24 декабря 1950(1950-12-24) (73 года)
Место рожденияс. Новотроицк Иркутской области Тулунского района Иркутской области
Страна СССР →  Россия
Род деятельностифизик
Научная сферафизика плазмы
Место работыИнститут сильноточной электроники СО РАН, ФИАН, Томский политехн. ун-т
Альма-матерНГУ
Учёная степеньдоктор физико-математических наук (2000)
Учёное званиепрофессор
член-корреспондент РАН (2006)
академик РАН (2016)
Награды и премииОрден Почёта — 2023 Орден Трудового Красного Знамени — 1990

Никола́й Алекса́ндрович Ратахин (род. 1950) — советский и российский физик, специалист в области импульсной энергетики и физики экстремальных состояний вещества, доктор физико-математических наук (2000), академик РАН (2016).

Биография

Родился 24 декабря 1950 года в с. Новотроицк Тулунского района Иркутской области[1].

В 1973 году — окончил физический факультет Новосибирского государственного университета[1].

Работает в Сибирском отделении с 1973 года, пройдя путь от стажёра-исследователя до директора Института сильноточной электроники СО РАН (с 2006 года)[1].

Ведёт преподавательскую деятельность на кафедре физики плазмы Томского государственного университета, а с 2005 года — Томского политехнического университета (ТПУ), с 2006 года — заведующий кафедрой сильноточной электроники ТПУ[1].

В 2006 году — избран членом-корреспондентом РАН.

В 2016 году — избран академиком РАН.

Научная деятельность

Основное направление научной деятельности — исследование эффективных методов компрессии электрической энергии и её преобразование в мощные потоки заряженных частиц и рентгеновское излучение в широком спектральном диапазоне[1].

Совместно с сотрудниками Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе выполнил прямые измерения характеристик (ne, Te) плазмы (методом лазерного рассеяния) в сильноточных диодах со взрывной эмиссией электронов[1].

Под его руководством разработан ряд оригинальных наносекундных мегаамперных установок (СНОП-3, СГМ, МИГ) тераваттного диапазона мощности, по ряду параметров не имеющих аналогов, создана уникальная установка МИГ, в которой удачно совмещены практически все известные способы формирования мощных импульсов (электровзрывные и плазменные прерыватели тока, использование линейного импульсного трансформатора, техники водяных формирующих линий и т. п.), что позволило реализовать широкий набор электрических импульсов с высоким коэффициентом[1].

Член Объединённого учёного совета по физико-техническим наукам СО РАН, Межотраслевой конкурсной комиссии по фонду содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере[1].

Под его руководством защищены 3 кандидатские и 1 докторская диссертации[2].

Основные труды[1]

  • Установка МИГ — универсальный рентгеновский источник // Вопр. атом. науки и техники. 2001. Вып.3-4. С.3-4 (в соавт.)
  • Дейтериевый лайнер и многопараметрическое исследование процесса формирования инверсного Z-пинча // Журн. техн. физики. 2002. Т.72, вып.9. С.29-37 (в соавт.)
  • Precursor phenomenon in wire arrays: Model and experiment // Laser and particle beams. 2001. Vol.19. Р.443-449 (co-auth.)
  • The astrophysical S-faktor dd-reaktions at keV-energy range // Kerntechnik. 2001. Vol.66, N 1-2. Р.42-46 (co-auth.)
  • On the possibility of compression to materials multimegabar by megaampere currents with risetimes of tens of nanoseconds // Proc. of «MEGAGAUSS-9». 2005. P.116-118.

Награды[2]

  • Орден Почёта (Россия) (11 февраля 2023 года) — за заслуги в научной деятельности и многолетнюю добросовестную работу[3]
  • Орден Трудового Красного Знамени (1990)
  • Первая премия ОИЯИ (2001) — за работу «Исследование реакций между лёгкими ядрами в области ультранизких энергий с использованием лайнерной плазмы»[2]

Примечания

  1. ↑ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Составитель Е. Г. Водичев и др. Российская академия наук. Сибирское отделение: Персональный состав / В. М. Фомин. — Новосибирск: Наука, 2007. — С. 480-481. — 601 с. — ISBN 978-5-02-032106-9. Архивировано 15 февраля 2018 года.
  2. ↑ 1 2 3 Institute of High Current Electronics SB RAS. hcei.tsc.ru. Дата обращения: 20 июня 2017. Архивировано 12 июня 2017 года.
  3. ↑ Указ Президента Российской Федерации от 11.02.2023 № 81 "О награждении государственными наградами Российской Федерации". Официальный интернет-портал правовой информации (11 февраля 2023). Дата обращения: 2 октября 2023.

Ссылки

Предшественник:
Коровин, Сергей Дмитриевич		директор Института сильноточной электроники СО РАН
2006— 		Преемник:
—