О́птика — раздел физики, изучающий поведение и свойства света, в том числе его взаимодействие с веществом и создание инструментов, которые его используют или детектируют. Оптика обычно описывает поведение видимого, ультрафиолетового и инфракрасного излучения. Поскольку свет представляет собой электромагнитную волну, другие формы электромагнитного излучения, такие как рентгеновские лучи, микроволны и радиоволны, обладают аналогичными свойствами.
Фотолитогра́фия — метод получения определённого рисунка на поверхности материала, широко используемый в микроэлектронике и других видах микротехнологий, а также в производстве печатных плат. Один из основных приёмов планарной технологии, используемой в производстве полупроводниковых приборов.
Разреше́ние — способность оптического прибора воспроизводить изображение близко расположенных объектов.
Рентге́новское излуче́ние — электромагнитные волны, энергия фотонов которых лежит на шкале электромагнитных волн между ультрафиолетовым излучением и гамма-излучением (от ~10 эВ до нескольких МэВ), что соответствует длинам волн от ~103 до ~10−2 Å (от ~102 до ~10−3 нм).
Электромагни́тный спектр — распределение энергии электромагнитного излучения источника по частоте, длине волны или иному аналогичному параметру. В общем случае охватывает совокупность всех частотных диапазонов, но в зависимости от задачи может ограничиваться, например, только видимой областью. Показывает, в какой мере в исследуемом сигнале представлены ультрафиолетовое излучение, синий, зеленый и другие цвета, инфракрасная составляющая.
Рентгеновское зеркало — оптическое устройство, служащее для управления рентгеновским излучением. В настоящее время технологии позволяют создавать зеркала для рентгеновских лучей и части экстремального УФ с длиной волны от 2 до 45—55 нанометров. Рентгеновское зеркало состоит из многих слоев специальных материалов.
Вну́треннее отраже́ние — явление отражения электромагнитных или звуковых волн от границы раздела двух сред при условии, что волна падает из среды, где скорость её распространения меньше.
Микроскопия (МКС) — изучение объектов с использованием микроскопа. Подразделяется на несколько видов: оптическая микроскопия, электронная микроскопия, многофотонная микроскопия, рентгеновская микроскопия, рентгеновская лазерная микроскопия и предназначается для наблюдения и регистрации увеличенных изображений образца.
Рентге́новский микроско́п — устройство для исследования очень малых объектов, размеры которых сопоставимы с длиной рентгеновской волны. Основан на использовании рентгеновского излучения с длиной волны от 0,01 до 10 нанометров. В длинноволновой части диапазона наиболее часто используется участок длин волн 2,3 — 4,4 нм, соответствующий т. н. «окну прозрачности воды», в котором проводятся исследования биологических образцов. В коротковолновой части диапазона рентгеновские микроскопы применяют для исследований структуры различных конструкционных материалов, содержащих элементы с большим атомным номером.
Фоторезист — полимерный светочувствительный материал. Наносится на обрабатываемый материал в процессе фотолитографии или фотогравировки с целью получить соответствующее фотошаблону расположение окон для доступа травящих или иных веществ к поверхности обрабатываемого материала.
Электро́нно-лучева́я литогра́фия — метод нанолитография с использованием электронного пучка.
Рентге́новская о́птика — отрасль прикладной оптики, изучающая процессы распространения рентгеновских лучей в средах, а также разрабатывающая элементы для рентгеновских приборов. Рентгеновская оптика, в отличие от обычной, рассматривает отражение и преломление электромагнитных волн в диапазоне длин волн рентгеновского 10−4 до 100 Å и гамма-излучений < 10−4 Å.
Фотолитография в глубоком ультрафиолете — вид фотолитографии в наноэлектронике. Считается одним из вариантов фотолитографии следующего поколения. Использует свет экстремального ультрафиолетового диапазона с длиной волны около 13,5 нм, т.е. почти рентгеновское излучение. Для создании рисунка используется лазерная импульсная плазма капель олова (Sn), отражающая фотомаска и экспонирование подложки, покрытой фоторезистом. В настоящее время он применяется только в самых передовых полупроводниковых устройствах.
Травление в литографии — этап фотолитографического процесса, заключающийся в удалении негативного фоторезиста с необлученных участков или позитивного фоторезиста с облученных участков подложки, покрытой тонкой пленкой фоторезиста.
Дифракцио́нный преде́л — это минимальное значение размера пятна, которое можно получить, фокусируя электромагнитное излучение. Меньший размер пятна не позволяет получить явление дифракции электромагнитных волн.
Ио́нно-лучева́я литогра́фия — технология изготовления электронных микросхем, использующая литографический процесс с экспонированием (облучением) резиста ионными пучками нанометрового сечения.
Голографическая интерференционная литография — технология, использующая литографический процесс с экспонированием (облучением) резиста интерферирующими лазерными или ультрафиолетовыми лучами или пучками синхротронного рентгеновского излучения.
Ультрафиолетовая литография — субмикронная технология, используемая для изготовления полупроводниковых микросхем; один из подвидов литографического процесса с экспонированием фоторезиста «глубоким» или сверхжёстким ультрафиолетовым излучением.
Нанолитография — это область техники в нанотехнологиях, связанная с разработкой структур нанометрового масштаба. В переводе с греческого это слово можно разделить на три части: «нано» — карлик, «лит» — камень и «графи» — писать или «крошечные буквы на камне». Сегодня это слово расширилось, чтобы охватывать проектирование структур в диапазоне от 10 −9 до 10 −6 метров или структур в нанометровом диапазоне. По сути, это поле является производным литографии, охватывающим только структуры значительно меньшего размера. Все нанолитографические методы можно разделить на две категории: те, которые вытравливают молекулы, оставляя желаемую структуру, и те, которые непосредственно записывают желаемую структуру на поверхность.
Силсесквиоксан водорода (англ. HSQ) — полимерное кремнийорганическое соединение с общей формулой (HSiO3/2)8n, применяемое как негативный резист c добавлением метилизобутилкетона в электронно-лучевой литографии. Применяется как заменитель ПММА. При толщине плёнки резиста менее 25 нм демонстрирует разрешение лучше чем 10 нм. Электронный пучок разрушает полимерную цепь превращая резист в аморфный оксид кремния, используемого для стойкой к плазменному травлению маски. NaOH или NH4OH действуют как проявитель на силсесквиоксан водорода в результате чего происходит выделение водорода. Резист очень чувствителен к старению, поэтому для свежеприготовленного вещества получается лучшее разрешение с шириной линии 10 нм.