Таиров, Юрий Михайлович

Перейти к навигацииПерейти к поиску
В Википедии есть статьи о других людях с такой фамилией, см. Таиров.
Юрий Михайлович Таиров
Дата рождения1 ноября 1931(1931-11-01)
Место рождения
Дата смерти14 декабря 2019(2019-12-14) (88 лет)
Страна
Место работы
Альма-матер
Учёная степеньдоктор технических наук
Награды и премии
орден Почёта орден Трудового Красного Знамени орден «Знак Почёта»
заслуженный деятель науки и техники РСФСР

Юрий Михайлович Таиров (1 ноября 1931, Псков — 14 декабря 2019[1]) — специалист в области физики и технологии широкозонных полупроводников и электронных приборов на их основе. Автор свыше 300 научных публикаций, в том числе 5 монографий. Доктор технических наук (1975), профессор (1977). Кавалер ордена Трудового Красного Знамени.

Биография

В подростково-юношеском возрасте обучался в ЛНВМУ (1944—1950)[2]. После его окончания поступил в ЛЭТИ (1950), но вскоре в 1951 г. был сослан в Казахстан как сын «врага народа» (отец Михаил Алексеевич Таиров арестован в 1949 г. по так называемому «ленинградскому делу», реабилитирован в 1954 г.). В 1953 г., после смерти Сталина, был реабилитирован и восстановлен в качестве студента в ЛЭТИ.

До 1959 года работал в должности студента-лаборанта. В 1959 г. окончил кафедру диэлектриков и полупроводников и получил диплом инженера-электрофизика. С этого года работал на кафедре диэлектриков и полупроводников (теперь кафедра микро- и наноэлектроники) в должности старшего инженера проблемной лаборатории электрофизических процессов в диэлектриках и полупроводниках. В 1959/1960 учебном году стажировался в Калифорнийском университете (Беркли, США). Там Таиров познакомился с достижениями зарубежных ученых, прослушал курсы квантовой механики, физики твердого тела, теории полупроводников. С 1959 по 1962 года состоял в аспирантуре. По возвращении стал заниматься синтезом монокристаллического карбида кремния и в 1963 г. успешно защитил кандидатскую, в 1975 г. докторскую диссертации по этой тематике. В 1964-65 гг. был ассистентом кафедры, в 1965—1975 гг. — доцентом.

Проректор по научной работе (1970—1988). С 1976 г. был профессором кафедры диэлектриков и полупроводников. Читал курсы «Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов», «Проблемы современной электроники», «Технология полупроводниковых приборов и интегральных микросхем» и др. С 1984 по 2009 годы заведующий кафедрой.

Таиров теоретически обобщил и решил проблему физико-химических основ выращивания политипной структуры ряда широкозонных полупроводников и управления ею, разработал метод выращивания объемных кристаллов полупроводникового карбида кремния различных политипных модификаций («метод ЛЭТИ»), широко используемый для промышленного производства слитков карбида кремния ведущими фирмами мира[3][4].

Автор более 300 научных трудов, в том числе 5 монографий, 2 учебников, более 70 авторских свидетельств. Один из создателей Центра микротехнологий и диагностики ЛЭТИ. Член Международного комитета по карбиду кремния, председатель и член программных комитетов отечественных и зарубежных конференций по широкозонным полупроводникам, член научного совета по физике полупроводников РАН, член редколлегии журналов «ФТП», «Электроника», «Материалы электронной техники» и др. Под его руководством было защищено более 50 кандидатских и докторских диссертаций.

Участник и руководитель первых ССО Института, секретарь Комитета ВЛКСМ ЛЭТИ, заместитель секретаря парткома ЛЭТИ. В последние годы руководил Исторической комиссией учёного совета ЛЭТИ.

Был женат. Супруга — Светлана Эмильевна — выпускница консерватории в Ленинграде, редактор музыкальных радиопередач, нотный редактор[2]. Младшая сестра Галина — учёный-аграрий, младший брат Сергей — инженер, разработчик микроэлектронных аппаратов в НПО «Позитрон»[5].

Награды

Лауреат премии правительства Российской Федерации в области образования, Заслуженный деятель науки и техники РФ (1992), Заслуженный профессор ЛЭТИ, Соросовский профессор (1997—2001), Почётный доктор Новгородского государственного университета им. Ярослава Мудрого (2001).

Кавалер ордена Трудового Красного Знамени и ордена Почёта, обладатель ряда медалей, отмечен Почётным знаком ЛЭТИ «За заслуги».

Труды

  • Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов: Учебник. — М.: Высшая школа, 1983, 1990, 2002.
  • Технология полупроводниковых приборов. — М.: Высшая школа, 1984.

Литература

  • Лабиринты памяти: Альманах / Под общ. ред. В. В. Лучинина. — СПб.: СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2011. — 304 с.
  • Выдающиеся выпускники и деятели Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» имени В. И. Ульянова (Ленина). 1886—2006: биографический справочник / под ред. Д. В. Пузанкова. — СПб: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2006. — 350 с. — ISBN 5-7629-0721-X
  • [65-летию кафедры микро- и наноэлектроники] // Электрик. — 2011. — ноябрь. — № 16.
  • Некролог // Санкт-Петербургские ведомости. — 2019. — 18 дек.

Примечания

  1. ↑ Некролог. Дата обращения: 16 декабря 2019. Архивировано 16 декабря 2019 года.
  2. ↑ 1 2 Центральный военно-морской портал Обзор выпуска Ленинградского Нахимовского военно-морского училища... Архивная копия от 14 января 2024 на Wayback Machine, см. разд. «Юрий Михайлович Таиров» и далее, 2009.
  3. ↑ International School on Crystal Growth of Technologically Important Electronic Materials (англ.) / K. Byrappa et al.. — Allied Publishers PVT. Limited, 2003. — ISBN 81-7764-375-4.
  4. ↑ SiC Power Materials: Devices and Applications (англ.) / Zhe Chuan Feng. — Springer, 2004. — ISBN 978-3-642-05845-5.
  5. ↑ В. Привалов Мы на острове живем — на Аптекарском (в сб. «Метроном Аптекарского острова» 1 (39)) — СПб., изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2012. — cм. с. 60.