Окси́д цирко́ния(IV) (диокси́д цирко́ния, двуо́кись цирко́ния) — бинарное неорганическое соединение кислорода и циркония с химической формулой ZrO2. Бесцветные кристаллы с температурой плавления 2715 °C. Оксид циркония — один из наиболее тугоплавких оксидов металлов.
Диоксид кремния (кремнезём, SiO2; лат. silica) — оксид кремния (IV). Бесцветные кристаллы, практически нерастворимые в воде, обладающие высокой твёрдостью и прочностью.
Кре́мний — химический элемент 14-й группы, третьего периода периодической системы химических элементов Д. И. Менделеева, с атомным номером 14.
Пористый кремний — кремний, испещрённый порами, то есть имеющий пористую структуру.
Озон (от др.-греч. ὄζω — пахну) — состоящая из трёхатомных молекул O3, аллотропная модификация кислорода. При нормальных условиях — светло-голубой газ. Запах — резкий специфический. При сжижении превращается в жидкость цвета индиго. В твёрдом виде представляет собой тёмно-синие, серые, практически чёрные кристаллы.
Ржа́вчина (устар. «ржа») — общий термин для определения оксидов железа. В разговорной речи это слово применяется к красным оксидам, образующимся в процессе реакции железа с кислородом в присутствии воды или влажного воздуха. Есть и другие формы ржавчины, например, продукт, образующийся в ходе реакции железа с хлором при отсутствии кислорода. Такое вещество образуется, в частности, на арматуре, используемой в подводных бетонных столбах, и называется зелёной ржавчиной. Несколько видов коррозии различимы зрительно или с помощью спектроскопии, они образуются при разных внешних условиях. Ржавчина состоит из гидратированного оксида железа(III) Fe2O3·nH2O и метагидроксида железа (FeO(OH), Fe(OH)3).
Кисло́тные окси́ды (ангидри́ды) — солеобразующие оксиды неметаллов или переходных металлов в высоких степенях окисления. У всех кислотных оксидов есть соответствующая кислородсодержащая кислота.
Окси́д кре́мния(II) SiO — смолоподобное аморфное вещество, при обычных условиях устойчиво к действию кислорода. Относится к несолеобразующим оксидам.
Силаны — соединения кремния с водородом общей формулы SinH2n+2.
Силици́ды — соединения кремния с менее электроотрицательными элементами. Силициды известны для щелочных и щелочноземельных металлов, большей части d-металлов и f-металлов. Ag, Au, Zn, Cd, Hg и все p-элементы силицидов не образуют.
Кремний на изоляторе — технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний-диэлектрик-кремний вместо обычно применяемых монолитных кремниевых пластин. Данная технология позволяет добиться существенного повышения быстродействия микроэлектронных схем при одновременном снижении потребляемой мощности и габаритных размеров. Так, например, максимальная частота переключения транзисторов (Ft), выполненных по технологическому процессу 130 нм, может достигать 200 ГГц. В перспективе, при переходе к технологическим процессам с меньшим размером активных элементов, возможно ещё большее повышение этого показателя. Кроме собственно наименования технологии, термин «кремний на изоляторе» также часто употребляется в качестве названия поверхностного слоя кремния в КНИ-структуре.
Свинцо́вый су́рик, также охра свинцовая — твёрдое химически стойкое вещество. По химическому составу представляет собой ортоплюмбат свинца Pb2PbO4 (суммарная формула Pb3O4 или 2PbO•PbO2), имеющий насыщенный красно-оранжевый цвет и высокую плотность.
Окси́д свинца́(IV) (диокси́д свинца́, двуокись свинца, платтнерит) — бинарное неорганическое соединение свинца с кислородом, химическая формула — PbO2. Является высшим оксидом свинца. Представляет собой тёмно-коричневый тяжёлый порошок, имеющий тонкий характерный запах озона. В высоких концентрациях ядовит.
Планарная технология — совокупность технологических операций, используемых при изготовлении планарных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Процесс включает в себя формирование отдельных компонентов транзисторов, а также объединение их в единую структуру. Это основной процесс при создании современных интегральных схем. Данная технология была разработана Жаном Эрни, одним из членов «вероломной восьмёрки», во время работы в Fairchild Semiconductor. Технология впервые была запатентована в 1959 году.
Кремнефтористоводородная кислота (гексафторкремниевая кислота, гексафторсиликат водорода) — сильная неорганическая комплексная кислота с химической формулой H2[SiF6].
Хими́ческое осажде́ние из га́зовой фа́зы (ХОГФ) — процесс, используемый для получения высокочистых твёрдых материалов. Процесс часто используется в индустрии полупроводников для создания тонких плёнок. Как правило, при процессе CVD подложка помещается в пары одного или нескольких веществ, которые, вступая во взаимные реакции и/или разлагаясь, формируют на поверхности подложки слой необходимого вещества. Побочно часто образуется также газообразные продукты реакции, выносимые из камеры осаждения потоком газа-носителя.
Окси́д герма́ния(IV) (диоксид германия, двуокись германия) представляет собой бинарное неорганическое химическое соединение германия с кислородом, является амфотерным оксидом. Химическая формула GeO2.
LOCOS, сокращение от LOCal Oxidation of Silicon, «локальное окисления кремния» — микротехнологический процесс, в котором диоксид кремния формируется в выбранной зоне на кремниевой подложке, имеющей Si—SiO2 структуру в более низкой точке, чем остальная поверхность кремния.
МДП-конденсатор (МДП-диод, [двухэлектродная] МДП-структура; англ. MIS capacitor) — структура «металл (М) - диэлектрик (Д) - полупроводник (П)», одна из важнейших в полупроводниковой электронике (является секцией полевого транзистора с изолированным затвором MISFET). В качестве полупроводника чаще всего используется кремний (Si), в роли диэлектрика выступает диоксид кремния (SiO2; в таком случае «МДП» заменяют на «МОП», О = оксид), а к популярным металлам относятся золото (Au) и алюминий (Al). Вместо металла нередко применяется сильно легированный поликристаллический кремний (poly-Si), при этом аббревиатура не меняется.
