Транзи́стор, полупроводнико́вый трио́д — электронный компонент из полупроводникового материала, способный небольшим входным сигналом управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
Электро́ника — наука о взаимодействии электронов с электромагнитными полями и о методах создания электронных приборов и устройств, в которых это взаимодействие используется для преобразования электромагнитной энергии. Работа электронных устройств основана на перемещении носителей тока в вакууме, газе или твёрдых телах, а также других физических принципах.
Полупроводнико́вый стабилитро́н, или диод Зенера — полупроводниковый диод, работающий при обратном смещении в режиме пробоя. До наступления пробоя через стабилитрон протекают незначительные токи утечки, а его сопротивление весьма высоко. При наступлении пробоя ток через стабилитрон резко возрастает, а его дифференциальное сопротивление падает до величины, составляющей для различных приборов от долей ома до сотен oм. Поэтому в режиме пробоя напряжение на стабилитроне поддерживается с заданной точностью в широком диапазоне обратных токов.
Биполя́рный транзи́стор с изоли́рованным затво́ром — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный и полевой.
МОП-транзи́стор, или Полево́й (униполя́рный) транзи́стор с изоли́рованным затво́ром — полупроводниковый прибор, разновидность полевых транзисторов. Аббревиатура МОП образована от слов «металл-оксид-полупроводник», обозначающих последовательность типов материалов в основной части прибора.
Гетерострукту́ра — выращенная на подложке структура, состоящая из слоёв различных материалов, которые различаются шириной запрещённой зоны и/или сродством к электрону.
Уи́льям Брэ́дфорд Шо́кли — американский физик, исследователь полупроводников, лауреат Нобелевской премии по физике 1956 года. В годы Второй мировой войны Шокли участвовал в создании американской школы исследования операций и в разработке тактики стратегических бомбардировок. В январе 1948 года Шокли изобрёл плоскостной биполярный транзистор, а затем создал научную теорию, объяснявшую его работу. В 1956 году Шокли основал названную его именем лабораторию, которая стала одним из истоков Кремниевой долины.
Одноперехо́дный транзи́стор — полупроводниковый прибор с тремя электродами и одним p-n переходом. Однопереходный транзистор принадлежит к семейству полупроводниковых приборов с вольт-амперной характеристикой, имеющей участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением.
Полупроводниковые приборы, ПП — широкий класс электронных приборов, изготавливаемых из полупроводников.
Нитри́д га́ллия — бинарное неорганическое химическое соединение галлия и азота. Химическая формула GaN. При обычных условиях очень твёрдое вещество с кристаллической структурой типа вюрцита. Прямозонный полупроводник с широкой запрещённой зоной — 3,4 эВ.
Полупроводнико́вый диод — полупроводниковый прибор, в широком смысле — электронный прибор, изготовленный из полупроводникового материала, имеющий два электрических вывода (электрода). В более узком смысле — полупроводниковый прибор, во внутренней структуре которого сформирован один p-n-переход.
Зигфрид Зельберхерр — австрийский ученый в области микроэлектроники, профессор Института микроэлектроники Венского технического университета. Занимается исследованием и компьютерным моделированием физических явлений в микро- и наноэлектронных структурах.
Твердоте́льная электро́ника — раздел электроники, изучающий физические принципы работы, функциональные возможности электронных приборов, в которых движение электронов или иных носителей заряда, обуславливающих электрический ток, происходит в объёме твёрдого тела. Термин «твердотельные приборы» подчеркивает отличие этих приборов от электровакуумных, газоразрядных, жидкоэлектролитных, иных электронных приборов. Также не считаются твердотельными различные электромеханические приборы и устройства такие как реле, переключатели, исполнительные механизмы. Условно к твердотельным приборам можно отнести пьезоэлектрические приборы, приборы, использующие ферромагнитные свойства материалов, например, накопители на магнитных дисках, цилиндрических магнитных доменах, так как в этих материалах не происходит упорядоченное движение электрических зарядов.
16 декабря 1947 года физик-экспериментатор Уолтер Браттейн, работавший с теоретиком Джоном Бардином, собрал первый работоспособный точечный транзистор. Спустя полгода, но до обнародования работ Бардина и Браттейна, немецкие физики Герберт Матаре и Генрих Велькер представили разработанный во Франции точечный транзистор («транзистрон»). Так из безуспешных попыток создать сначала твердотельный аналог вакуумного триода, а затем — полевой транзистор родился первый несовершенный точечный биполярный транзистор.
Курт Леговец, также Леговек — чешский, впоследствии американский, физик и изобретатель, исследователь полупроводников. В начале 1959 года Леговец изобрёл и запатентовал технологию изоляции полупроводниковых приборов p-n-переходом — одну из трёх фундаментальных технологий, сделавших возможным создание монолитных интегральных схем. Леговец — автор модели пространственного заряда в поверхностных слоях ионных кристаллов, соавтор первой теоретической модели светоизлучающего диода на карбиде кремния (1951), эквивалентной схемы МДП-транзистора, физической модели МДП-транзистора. Все эти работы Леговца созданы в США, куда он был вывезен в 1947 году в ходе операции «Скрепка».
Идею интеграции множества стандартных электронных компонентов в монолитном кристалле полупроводника впервые предложил в 1952 году британский радиотехник Джеффри Даммер. Год спустя Харвик Джонсон подал первую в истории патентную заявку на прототип интегральной схемы (ИС). Реализация этих предложений в те годы не могла состояться из-за недостаточного развития технологий.
Ши Минь, известный в США как Саймон Ши — китайский физик, изобретатель энергонезависимой памяти на транзисторах с плавающими затвороми (1967), автор классического учебника по физике полупроводников, в русском издании которого его фамилия была ошибочно протранскрибирована как «Зи».
Негатроника — направление электроники, связанное с теорией и практикой создания и применения негатронов — электронных приборов, имеющих в определённом режиме работы отрицательное значение основного дифференциального параметра ,.
Са Чжита́н — китайский и американский учёный, почётный член отделения Электрической и Компьютерной инженерии Университета Флориды.
Кан Дэвон — корейско-американский инженер-электрик и изобретатель, наиболее популярен своими работами в области твердотельной электроники. Кан Дэвон известен своим изобретением MOSFET, также именуемого как MOS-транзистор. Работа была проделана совместно с Мохамедом Аталлой в 1959 году. Аталла и Кан разработали процессы PMOS и NMOS для изготовления полупроводниковых устройств MOSFET.
Медиафайлы на Викискладе