Ками́ль Ахме́тович Вали́ев — советский и российский физик, доктор физико-математических наук, профессор, научный руководитель Физико-технологического института РАН, академик АН СССР, академик РАН.
Наноэлектроника — область электроники, занимающаяся разработкой физических и технологических основ создания интегральных электронных схем с характерными топологическими размерами элементов менее 100 нанометров.
Алекса́ндр Алекса́ндрович Орлико́вский — советский и российский физик, доктор технических наук (1982), профессор (1984), академик РАН (2008), директор и научный руководитель Физико-технологического института РАН (ФТИАН).
Институ́т пробле́м проекти́рования в микроэлектро́нике РАН — научно-исследовательский институт Отделения нанотехнологий и информационных технологий Российской академии наук, расположен в Зеленограде.
Бийский технологический институт — филиал государственного образовательного учреждения «Алтайский государственный технический университет им. И. И. Ползунова». Расположен в городе Бийске. По результатам мониторинга признан эффективным вузом.
Алекса́ндр Никола́евич Сау́ров — российский учёный, директор научно-производственного комплекса «Технологический центр» МИЭТ. Доктор технических наук (1999), профессор (2000), член-корреспондент РАН (2008), академик РАН (2016) по Отделению нанотехнологий и информационных технологий.
Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук образован по инициативе академиков АН СССР А. И. Берга, Б. А. Введенского, Н. Д. Девяткова, В. А. Котельникова, Ю. Б. Кобзарева, В. В. Мигулина, и члена-корреспондента АН СССР Д. В. Зёрнова в 1953 году. Эти выдающиеся учёные и стали первыми руководителями научных подразделений института.
Институт физики микроструктур РАН был создан в 1993 году на базе Отделения физики твёрдого тела Института прикладной физики РАН. Первым директором института стал С. В. Гапонов. В 2009 году ИФМ РАН возглавил профессор З. Ф. Красильник, в 2015 году — профессор В. И. Гавриленко, в 2016 году — снова З. Ф. Красильник. В 2020 году исполняющим обязанности директора вновь стал В. И. Гавриленко, а в 2021 году институт возглавил А. В. Новиков.
Институ́т фи́зики полупроводнико́в им. А. В. Ржанова — один из крупнейших институтов Новосибирского научного центра Сибирского отделения РАН. Основан в 1964 году. У истоков создания ИФП стоял крупный учёный академик Анатолий Васильевич Ржанов.
Заха́рий Фи́шелевич Краси́льник — советский и российский физик, член-корреспондент РАН (2016), профессор, директор Института физики микроструктур РАН с 2009 по 2021 г., руководитель научного направления "Физика микро- и наноструктур" Федерального исследовательского центра "Институт прикладной физики РАН" с 2021 г., заведующий межфакультетской базовой кафедрой «Физика наноструктур и наноэлектроника» Нижегородского государственного университета (ННГУ) им. Н. И. Лобачевского в ИФМ РАН с 2004 г.
Физико-технический институт - один из ведущих научных центров в области физики твердого тела и полупроводников, материаловедения, нанонауки и нанотехнологий, физики высоких энергий и космических лучей в Казахстане. Расположен в пос.Алатау, Медеуского района города Алма-Ата.
Кафедра микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ» — кафедра факультета электроники Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина).
Алексей Валентинович Устинов — советский и российский физик, доктор физико-математических наук, заведующий лабораторией сверхпроводящих метаматериалов НИТУ «МИСиС», заведующий кафедрой и лабораторией экспериментальной физики Технологического института Карлсруэ, руководитель группы «Сверхпроводящие квантовые цепи» в Российском квантовом центре. Основные работы сделаны в области физики низких температур, сверхпроводимости. В 2013-м году под руководством А. В. Устинова был измерен первый российский кубит.
Рубе́н Па́влович Сейся́н — советский и российский учёный, специалист в области физики полупроводников и гетероструктур. Доктор технических наук (1978), профессор. Иностранный член НАН Армении (2008).
Анато́лий Васи́льевич Двуре́ченский — советский и российский физик, доктор физико-математических наук (1988), профессор (1993), член-корреспондент РАН (2008), член секции нанотехнологий Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, заместитель директора Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (2000), заведующий Лабораторией неравновесных полупроводниковых систем (1987).
Александр Васи́льевич Латышев — российский учёный, доктор физико-математических наук (1998), профессор кафедры физики полупроводников НГУ (2006), академик (2016), заведующий лабораторией нанодиагностики и нанолитографии (1998) и директор ИФП СО РАН. Специалист в области синтеза плёночных и наноразмерных полупроводниковых структур из молекулярных пучков, полупроводниковых нанотехнологий и структурной диагностики низкоразмерных систем. Автор и соавтор более 220 научных публикаций.
И́горь Гео́ргиевич Неизве́стный — советский и российский физик. Член-корреспондент АН СССР по Отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации.
Олег Алексеевич Агеев — специалист в области нанотехнологий, доктор технических наук, профессор, член-корреспондент РАН (2016).
Еле́на Дми́триевна Ми́шина — советский, российский физик, доктор физико-математических наук, профессор, профессор кафедры наноэлектроники РТУ-МИРЭА. Лауреат Премии Ленинского комсомола (1988).
Дмитрий Александрович Усанов — советский и российский физик, заведующий кафедрой физики твердого тела Саратовского государственного университета, заслуженный деятель науки Российской Федерации.