EPROM — класс полупроводниковых запоминающих устройств, постоянная память, для записи информации (программирования) в которую используется электронное устройство — программатор, и которое допускает перезапись.
EEPROM — электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ (ЭСППЗУ), один из видов энергонезависимой памяти.
Транзи́стор с пла́вающим затво́ром — разновидность полевого МОП-транзистора, используемая в различных устройствах энергонезависимой памяти: флэш-памяти, EEPROM.
Магниторезистивная оперативная память — запоминающее устройство с произвольным доступом, которое хранит информацию при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов.
Твердотельный накопитель — компьютерное энергонезависимое немеханическое запоминающее устройство на основе микросхем памяти, альтернатива жёстким дискам (HDD). Наиболее распространённый вид твердотельных накопителей использует для хранения данных флеш-память типа NAND, однако существуют варианты, в которых накопитель создаётся на базе DRAM-памяти, снабжённой дополнительным источником питания — аккумулятором. Помимо собственно микросхем памяти, подобный накопитель содержит управляющую микросхему — контроллер.
Флеш-память — разновидность полупроводниковой технологии электрически перепрограммируемой памяти (EEPROM). Это же слово используется в электронной схемотехнике для обозначения технологически законченных решений постоянных запоминающих устройств в виде микросхем на базе этой полупроводниковой технологии. В быту это словосочетание закрепилось за широким классом твердотельных устройств хранения информации.
Энергонезависимая память — разновидность запоминающих устройств с произвольным доступом, которые способны хранить данные при отсутствии электрического питания. Может состоять из модуля SRAM, соединённого со своей собственной батарейкой. В другом случае SRAM может действовать в связке с EEPROM, например, флеш-памятью.
Сегнетоэлектрическая оперативная память — оперативная память, по своему устройству схожая с DRAM, но использующая слой сегнетоэлектрика вместо диэлектрического слоя для обеспечения энергонезависимости. FeRAM — одна из растущего числа альтернативных технологий энергонезависимой памяти, предлагающая ту же самую функциональность, что и флеш-память.
Па́мять с измене́нием фа́зового состоя́ния — компьютерная память на основе фазового перехода, также известна как PCM, PRAM, PCRAM, Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM, C-RAM — тип энергонезависимой памяти (NVRAM), основанный на свойствах халькогенидов, которые при изменении температуры могут «переключаться» между двумя состояниями: кристаллическим и аморфным. В последних разработках[каких?] смогли добавить ещё два дополнительных состояния, что удвоило информационную ёмкость чипов при прочих равных.
Nano-RAM — проприетарная технология компьютерной памяти от компании Nantero. По сути, это тип энергонезависимой памяти, основывающийся на механическом позиционировании углеродных нанотрубок, размещенных на чипообразной подложке. В теории небольшой размер нанотрубок позволит достичь весьма высокой плотности размещения памяти. Nantero зачастую упоминает её сокращенно как NRAM.
Micron Technology — американская транснациональная корпорация, известная своей полупроводниковой продукцией, основную часть которой составляют чипы памяти DRAM и NAND, флеш-память, SSD-накопители, а также датчики КМОП. Продукция для потребительского рынка продается под торговой маркой Crucial Technology и малая часть продукции выходит под маркой Micron.
Ка́рта па́мяти — компактное электронное запоминающее устройство, используемое для хранения цифровой информации. Современные карты памяти изготавливаются на основе флеш-памяти, хотя принципиально могут использоваться и другие технологии. Карты памяти широко используются в электронных устройствах, включая цифровые фотоаппараты, сотовые телефоны, ноутбуки, портативные цифровые аудиопроигрыватели.
Open NAND Flash Interface — консорциум технологических компаний, занимающийся разработкой открытых стандартов на микросхемы NAND-флеш. Создание ONFI было анонсировано на Intel Developer Forum в марте 2006 года.
LPDDR — тип оперативной памяти для смартфонов и планшетов. Известен также под названиями mDDR, Low Power DDR.
NVM Express — от англ. Non-Volatile Memory Host Controller Interface Specification) — интерфейс доступа к твердотельным накопителям, подключённым по шине PCI Express. «NVM» в названии спецификации обозначает энергонезависимую память, в качестве которой в SSD повсеместно используется флеш-память типа NAND. Логический интерфейс NVM Express был разработан с нуля, основные цели — получение низких задержек и эффективное использование высокого параллелизма твердотельных накопителей за счёт применения нового набора команд и механизма обработки очередей, оптимизированного для работы с современными многоядерными процессорами.
Гибридный накопитель — это логическое или физическое устройство хранения данных, которое сочетает в себе технологии хранения данных на жёстком диске (НЖМД) и в NAND-памяти (SSD-накопитель). В результате увеличивается производительность накопителя при большом доступном объёме хранения информации. Твердотельная память гибридного диска используется как кэш данных, хранящихся на жёстком диске, к которым идёт наиболее частое обращение. Тем самым повышается общая производительность системы.
3D XPoint — технология энергонезависимой памяти, анонсированная корпорациями Intel и Micron в июле 2015 года. Устройства компании Intel, использующие данную технологию, выходят под торговой маркой Optane, а устройства Micron предполагалось выпускать под маркой QuantX, впоследствии Micron отказалась от участия в развитии технологии.
Промышленные твердотельные накопители, или промышленные SSD - устройства хранения информации имеющие качества, позволяющие использовать такие накопители в тяжелых условиях промышленного производства, или для военных целей.
Фудзио Масуока — японский инженер, работавший в Toshiba и университете Тохоку. В настоящее время — технический директор основанной им фирмы Unisantis Electronics. Является изобретателем флеш-памяти, в том числе разработчиком NOR и NAND флеш-памяти. Кроме того, в 1988 году он был руководителем команды разработчиков первого МОП-транзистора с универсальным затвором (GAA) (GAAFET).
Yangtze Memory Technologies Company Limited (YMTC) — китайская компания электронной промышленности, крупнейший в стране разработчик и производитель чипов флеш-памяти (NAND). Выпускает корпоративную и потребительскую продукцию под брендами YMTC Xtacking и Zhitai. Штаб-квартира расположена в городе Ухань (провинция Хубэй).
