Операти́вная па́мять — в большинстве случаев энергозависимая часть системы компьютерной памяти, в которой во время работы компьютера хранится выполняемый машинный код (программы), а также входные, выходные и промежуточные данные, обрабатываемые процессором. Оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — техническое устройство, реализующее функции оперативной памяти. ОЗУ может изготавливаться как отдельный внешний модуль или располагаться на одном кристалле с процессором, например, в однокристальных ЭВМ или однокристальных микроконтроллерах.
Транзи́стор, полупроводнико́вый трио́д — электронный компонент из полупроводникового материала, способный небольшим входным сигналом управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
ПЗС-ма́трица, или CCD-ма́трица — специализированная аналоговая интегральная микросхема, состоящая из светочувствительных фотодиодов, выполненная на основе кремния, использующая технологию ПЗС — приборов с зарядовой связью.
EPROM — класс полупроводниковых запоминающих устройств, постоянная память, для записи информации (программирования) в которую используется электронное устройство — программатор, и которое допускает перезапись.
PROM — класс полупроводниковых запоминающих устройств, постоянная память с пережигаемыми перемычками.
Полево́й (униполя́рный) транзи́стор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
DRAM — тип компьютерной памяти, отличающийся использованием полупроводниковых материалов, энергозависимостью и возможностью доступа к данным, хранящимся в произвольных ячейках памяти. Модули памяти с памятью такого типа широко используются в компьютерах в качестве оперативных запоминающих устройств (ОЗУ), также используются в качестве устройств постоянного хранения информации в системах, требовательных к задержкам.
Транзи́стор с пла́вающим затво́ром — разновидность полевого МОП-транзистора, используемая в различных устройствах энергонезависимой памяти: флэш-памяти, EEPROM.
Магниторезистивная оперативная память — запоминающее устройство с произвольным доступом, которое хранит информацию при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов.
МОП-транзи́стор, или Полево́й (униполя́рный) транзи́стор с изоли́рованным затво́ром — полупроводниковый прибор, разновидность полевых транзисторов. Аббревиатура МОП образована от слов «металл-оксид-полупроводник», обозначающих последовательность типов материалов в основной части прибора.
МОП (металл-оксид-полупроводник) — один из видов полевого транзистора, в котором управляющий электрод (затвор) отделён от канала слоем диэлектрика, в простейшем случае, диоксида кремния. Транзисторы МОП-структуры лучше других активных полупроводниковых приборов подходили для создания логических БИС и СБИС, и ранний прогресс цифровой техники обусловлен микросхемами на транзисторах с МОП-структурой. В отличие от биполярного транзистора, выходной ток которого управляется входным током, МОП-транзистор, как и другие полевые транзисторы, управляется напряжением, этим он напоминает электровакуумный триод. В зависимости от типа носителей зарядов, МОП-транзисторы могут быть n-канальными или p-канальными, в первых используются электроны, во вторых — дырки.
Флеш-память — разновидность полупроводниковой технологии электрически перепрограммируемой памяти (EEPROM). Это же слово используется в электронной схемотехнике для обозначения технологически законченных решений постоянных запоминающих устройств в виде микросхем на базе этой полупроводниковой технологии. В быту это словосочетание закрепилось за широким классом твердотельных устройств хранения информации.
Charge Trap Flash — технология компьютерной флеш-памяти, известная с 1967 года и используемая для создания NOR и NAND накопителей с 2002 и 2008 годов, соответственно. Она отличается от широко использовавшейся до 2010 года технологии флеш-памяти на MOSFET-транзисторах с плавающим затвором тем, что использует для хранения электронов плёнку нитрида кремния, а не поликремний с допирующими элементами. За счёт перехода на CTF производители памяти смогли снизить стоимость производства за счёт:
- меньшего количества технологических этапов для формирования ячейки
- возможности использования более тонких технологических процессов
- упрощения хранения нескольких бит в одной ячейке
- повышения надежности
- более высокого выхода годных, поскольку технология меньше подвержена точечным дефектам в туннельном слое оксида.
Сегнетоэлектрическая оперативная память — оперативная память, по своему устройству схожая с DRAM, но использующая слой сегнетоэлектрика вместо диэлектрического слоя для обеспечения энергонезависимости. FeRAM — одна из растущего числа альтернативных технологий энергонезависимой памяти, предлагающая ту же самую функциональность, что и флеш-память.
Па́мять с измене́нием фа́зового состоя́ния — компьютерная память на основе фазового перехода, также известна как PCM, PRAM, PCRAM, Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM, C-RAM — тип энергонезависимой памяти (NVRAM), основанный на свойствах халькогенидов, которые при изменении температуры могут «переключаться» между двумя состояниями: кристаллическим и аморфным. В последних разработках[каких?] смогли добавить ещё два дополнительных состояния, что удвоило информационную ёмкость чипов при прочих равных.
Nano-RAM — проприетарная технология компьютерной памяти от компании Nantero. По сути, это тип энергонезависимой памяти, основывающийся на механическом позиционировании углеродных нанотрубок, размещенных на чипообразной подложке. В теории небольшой размер нанотрубок позволит достичь весьма высокой плотности размещения памяти. Nantero зачастую упоминает её сокращенно как NRAM.
Ши Минь, известный в США как Саймон Ши — китайский физик, изобретатель энергонезависимой памяти на транзисторах с плавающими затвороми (1967), автор классического учебника по физике полупроводников, в русском издании которого его фамилия была ошибочно протранскрибирована как «Зи».
Резистивная память с произвольным доступом — энергонезависимая память, разрабатываемая несколькими компаниями. Уже имеются патентованные версии ReRAM. Технология имеет некоторое сходство с CBRAM и PRAM.
Инжекция горячих носителей — это явление в устройствах твердотельной электроники, при котором электрон или дырка получает достаточную кинетическую энергию для преодоления потенциального барьера, что необходимо для смены состояния. Термин «горячий» указывает на эффективную температуру, используемую для моделирования плотности носителей, и не относится к температуре устройства. Так как носители заряда могут быть пойманы затвором диэлектрика МОП-транзистора, то переключение характеристик транзистора может быть произведено навсегда. Инжекция горячих носителей является одним из механизмов, который отрицательно сказывается на надёжности полупроводниковых твердотельных устройств.
Фудзио Масуока — японский инженер, работавший в Toshiba и университете Тохоку. В настоящее время — технический директор основанной им фирмы Unisantis Electronics. Является изобретателем флеш-памяти, в том числе разработчиком NOR и NAND флеш-памяти. Кроме того, в 1988 году он был руководителем команды разработчиков первого МОП-транзистора с универсальным затвором (GAA) (GAAFET).
