Компью́терная па́мять — часть вычислительной машины, физическое устройство или среда для хранения данных, используемая в вычислениях систем в течение определённого времени. Память, и центральный процессор, неизменно является частью компьютера с 1940-х годов. Память в вычислительных устройствах имеет иерархическую структуру и обычно предполагает использование нескольких запоминающих устройств, имеющих различные характеристики.
Постоя́нное запомина́ющее устро́йство (ПЗУ) — энергонезависимая память, используется для хранения массива неизменяемых данных.
Матери́нская (систе́мная) пла́та. В просторечии: «материнка» — печатная плата, являющаяся основой построения модульного электронного устройства, например — компьютера.
EPROM — класс полупроводниковых запоминающих устройств, постоянная память, для записи информации (программирования) в которую используется электронное устройство — программатор, и которое допускает перезапись.
EEPROM — электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ (ЭСППЗУ), один из видов энергонезависимой памяти.
BIOS, БИОС, также БСВВ — набор микропрограмм, реализующих низкоуровневые API для работы с аппаратным обеспечением компьютера, а также создающих необходимую программную среду для запуска операционной системы у IBM PC-совместимых компьютеров. BIOS относится к системному программному обеспечению.
Транзи́стор с пла́вающим затво́ром — разновидность полевого МОП-транзистора, используемая в различных устройствах энергонезависимой памяти: флэш-памяти, EEPROM.
AVR — семейство восьмибитных микроконтроллеров фирмы Atmel. Год разработки — 1996.
Игрово́й ка́ртридж — электронное устройство на основе микросхем ПЗУ, предназначенное для хранения сменной игровой программы в игровых консолях, игровых автоматах и ряде бытовых компьютеров. Название произошло от английского слова cartridge (патрон), в русском языке также применимо название «кассета». В английском языке используются вдобавок сокращение «cart» и название «game pack».
Intel 8051 — это однокристальный микроконтроллер гарвардской архитектуры, который был впервые произведен Intel в 1980 году для использования во встраиваемых системах. В течение 1980-х и начале 1990-х годов был чрезвычайно популярен, однако позже устарел и был вытеснен более современными устройствами, также с 8051-совместимыми ядрами, производившимися более чем 20 независимыми производителями, такими, как Atmel, Maxim IC, NXP, Winbond, Silicon Laboratories, Texas Instruments, Cypress Semiconductor и Nuvoton.
Встроенное программное обеспечение — содержимое энергонезависимой памяти любого цифрового вычислительного устройства — видеокамеры, микрокалькулятора, сотового телефона, GPS-навигатора и т. д., в которой содержится его программа.
МОП (металл-оксид-полупроводник) — один из видов полевого транзистора, в котором управляющий электрод (затвор) отделён от канала слоем диэлектрика, в простейшем случае, диоксида кремния. Транзисторы МОП-структуры лучше других активных полупроводниковых приборов подходили для создания логических БИС и СБИС, и ранний прогресс цифровой техники обусловлен микросхемами на транзисторах с МОП-структурой. В отличие от биполярного транзистора, выходной ток которого управляется входным током, МОП-транзистор, как и другие полевые транзисторы, управляется напряжением, этим он напоминает электровакуумный триод. В зависимости от типа носителей зарядов, МОП-транзисторы могут быть n-канальными или p-канальными, в первых используются электроны, во вторых — дырки.
Статическая память с произвольным доступом — полупроводниковая оперативная память, в которой каждый двоичный или троичный разряд хранится в схеме с положительной обратной связью, позволяющей поддерживать состояние без регенерации, необходимой в динамической памяти (DRAM). Тем не менее сохранять данные без перезаписи SRAM может, только пока есть питание, то есть SRAM остается энергозависимым типом памяти. Произвольный доступ — возможность выбирать для записи/чтения любой из битов, в отличие от памяти с последовательным доступом.
Флеш-память — разновидность полупроводниковой технологии электрически перепрограммируемой памяти (EEPROM). Это же слово используется в электронной схемотехнике для обозначения технологически законченных решений постоянных запоминающих устройств в виде микросхем на базе этой полупроводниковой технологии. В быту это словосочетание закрепилось за широким классом твердотельных устройств хранения информации.
Числовое программное управление — область техники, связанная с применением цифровых вычислительных устройств для управления производственными процессами.
Энергонезависимая память — разновидность запоминающих устройств с произвольным доступом, которые способны хранить данные при отсутствии электрического питания. Может состоять из модуля SRAM, соединённого со своей собственной батарейкой. В другом случае SRAM может действовать в связке с EEPROM, например, флеш-памятью.
Запомина́ющее устро́йство (ЗУ) — устройство, предназначенное для записи и хранения данных. В основе работы запоминающего устройства может лежать любой физический эффект, обеспечивающий приведение системы к двум или более устойчивым состояниям. Устройство, реализующее компьютерную память.
Па́мять с измене́нием фа́зового состоя́ния — компьютерная память на основе фазового перехода, также известна как PCM, PRAM, PCRAM, Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM, C-RAM — тип энергонезависимой памяти (NVRAM), основанный на свойствах халькогенидов, которые при изменении температуры могут «переключаться» между двумя состояниями: кристаллическим и аморфным. В последних разработках[каких?] смогли добавить ещё два дополнительных состояния, что удвоило информационную ёмкость чипов при прочих равных.
Ши Минь, известный в США как Саймон Ши — китайский физик, изобретатель энергонезависимой памяти на транзисторах с плавающими затвороми (1967), автор классического учебника по физике полупроводников, в русском издании которого его фамилия была ошибочно протранскрибирована как «Зи».
Фудзио Масуока — японский инженер, работавший в Toshiba и университете Тохоку. В настоящее время — технический директор основанной им фирмы Unisantis Electronics. Является изобретателем флеш-памяти, в том числе разработчиком NOR и NAND флеш-памяти. Кроме того, в 1988 году он был руководителем команды разработчиков первого МОП-транзистора с универсальным затвором (GAA) (GAAFET).
