Операти́вная па́мять — в большинстве случаев энергозависимая часть системы компьютерной памяти, в которой во время работы компьютера хранится выполняемый машинный код (программы), а также входные, выходные и промежуточные данные, обрабатываемые процессором. Оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — техническое устройство, реализующее функции оперативной памяти. ОЗУ может изготавливаться как отдельный внешний модуль или располагаться на одном кристалле с процессором, например, в однокристальных ЭВМ или однокристальных микроконтроллерах.
Запоминающее устройство с произвольным доступом, также Запоминающее устройство с произвольной выборкой — один из видов памяти компьютера, позволяющий единовременно получить доступ к любой ячейке по её адресу на чтение или запись.
DRAM — тип компьютерной памяти, отличающийся использованием полупроводниковых материалов, энергозависимостью и возможностью доступа к данным, хранящимся в произвольных ячейках памяти. Модули памяти с памятью такого типа широко используются в компьютерах в качестве оперативных запоминающих устройств (ОЗУ), также используются в качестве устройств постоянного хранения информации в системах, требовательных к задержкам.
Магниторезистивная оперативная память — запоминающее устройство с произвольным доступом, которое хранит информацию при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов.
Оборудование велосипеда — набор компонентов, из которых состоит велосипед. Включает в себя компоненты трансмиссии, компоненты колёс, покрышки, элементы подвески, тормозные системы и др.
AVR — семейство восьмибитных микроконтроллеров фирмы Atmel. Год разработки — 1996.
SRAM Corporation — американская компания, один из крупнейших в мире производителей оборудования для велосипедов. Штаб-квартира — в Чикаго. Основана в 1987 году, тесно связана с некоммерческой организацией World Bicycle Relief.
Статическая память с произвольным доступом — полупроводниковая оперативная память, в которой каждый двоичный или троичный разряд хранится в схеме с положительной обратной связью, позволяющей поддерживать состояние без регенерации, необходимой в динамической памяти (DRAM). Тем не менее сохранять данные без перезаписи SRAM может, только пока есть питание, то есть SRAM остается энергозависимым типом памяти. Произвольный доступ — возможность выбирать для записи/чтения любой из битов, в отличие от памяти с последовательным доступом.
Иногда статической памятью ошибочно называют:
Энергонезависимая память — разновидность запоминающих устройств с произвольным доступом, которые способны хранить данные при отсутствии электрического питания. Может состоять из модуля SRAM, соединённого со своей собственной батарейкой. В другом случае SRAM может действовать в связке с EEPROM, например, флеш-памятью.
Запомина́ющее устро́йство (ЗУ) — устройство, предназначенное для записи и хранения данных. В основе работы запоминающего устройства может лежать любой физический эффект, обеспечивающий приведение системы к двум или более устойчивым состояниям. Устройство, реализующее компьютерную память.
Jumbo-Visma — голландская профессиональная шоссейная велокоманда, ранее известная как Rabobank.
Шаблон:Карточка ракеты
T-RAM — тиристорная память с произвольным доступом, новый вид оперативной памяти, предложенный в середине 2000-х годов, сочетающий в себе сильные стороны DRAM и SRAM: высокую скорость работы и большой объём. Данная технология использует ячейки памяти, основанные на эффекте NDR, которые называются Thin-Capacitively-Coupled-Thyristor. T-RAM уходит от привычных дизайнов ячеек памяти: 1T и 6T, применяемых в DRAM- и SRAM-памяти. Благодаря этому, данная память является хорошо масштабируемой, и уже имеет плотность хранения данных в несколько раз превышающую её у SRAM-памяти. В данный момент идёт разработка следующего поколения T-RAM-памяти, которая, как планируется, будет сопоставима по плотности записи с DRAM.
Minimig — открытое аппаратное обеспечение, реализующее ПК, совместимый с Amiga 500 на базе ППВМ (FPGA).
Nano-RAM — проприетарная технология компьютерной памяти от компании Nantero. По сути, это тип энергонезависимой памяти, основывающийся на механическом позиционировании углеродных нанотрубок, размещенных на чипообразной подложке. В теории небольшой размер нанотрубок позволит достичь весьма высокой плотности размещения памяти. Nantero зачастую упоминает её сокращенно как NRAM.
eDRAM — DRAM-память на основе конденсаторов, как правило встраиваемая в ту же самую микросхему или в ту же самую систему, что и основной ASIC или процессор, в отличие от памяти SRAM на основе транзисторов, обычно используемой для кэшей и от внешних модулей DRAM.
Кэш микропроце́ссора — кэш, используемый микропроцессором компьютера для уменьшения среднего времени доступа к компьютерной памяти. Является одним из верхних уровней иерархии памяти. Кэш использует небольшую, очень быструю память, которая хранит копии часто используемых данных из основной памяти. Если большая часть запросов в память будет обрабатываться кэшем, средняя задержка обращения к памяти будет приближаться к задержкам работы кэша.
ТФ-16 — специализированный 16 битный процессор с регистрово-стековой архитектурой ориентированной на программирование на языке Forth. Выпускался в 2004—2006 годах компанией «Технофорт» на основе программируемой логики Atmel. На основе этого процессора был создан специализированный торговый компьютер mPOS-64 с операционной системой СКИФ-97АД. С 2006-го выпускается в СБИС зеленоградской фирмой «ИДМ-плюс» в версиях:
- TF-16А
- TF-16B
- TF-16BS — энергосберегающая версия; 16 КБ ОЗУ; 16-битный сигма-дельта АЦП
- К1894ВГ1Т — масочное ПЗУ — 1К×16, SRAM — 32К ×16, встроенный генератор опорной частоты 1-20 МГц; ФАПЧ (умножение
Эне́ргозави́симая па́мять — компьютерная память, которая требует постоянного использования электропитания для возможности удерживать записанную на неё информацию. Эта особенность является ключевым отличием энергозависимой памяти от энергонезависимой — последняя сохраняет записанную на неё информацию даже после прекращения подачи электропитания на неё. Энергозависимая память также изредка называется вре́менной памятью.
