Сапфи́р — драгоценный камень различных оттенков, одна из разновидностей корунда. В минералогии сапфирами называются корунды исключительно синего цвета, в ювелирной промышленности — любых цветов, кроме сиренево-красного. Синий окрас сапфира обуславливается присутствием примесей титана (Ti) и железа (Fe). В старину сапфир, как и другие ценные минералы синей окраски, назывался баусом.
Кремний на изоляторе — технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний-диэлектрик-кремний вместо обычно применяемых монолитных кремниевых пластин. Данная технология позволяет добиться существенного повышения быстродействия микроэлектронных схем при одновременном снижении потребляемой мощности и габаритных размеров. Так, например, максимальная частота переключения транзисторов (Ft), выполненных по технологическому процессу 130 нм, может достигать 200 ГГц. В перспективе, при переходе к технологическим процессам с меньшим размером активных элементов, возможно ещё большее повышение этого показателя. Кроме собственно наименования технологии, термин «кремний на изоляторе» также часто употребляется в качестве названия поверхностного слоя кремния в КНИ-структуре.
Поликристаллический кремний («поликремний») — материал, состоящий из мелких кристаллитов кремния. Занимает промежуточное положение между аморфным кремнием, в котором отсутствует дальний порядок, и монокристаллическим кремнием.
Полупроводнико́вая пласти́на — полуфабрикат в технологическом процессе производства полупроводниковых приборов, микросхем и фотогальванических элементов.
Ме́тод Чохра́льского — метод выращивания монокристаллов путём вытягивания их вверх от свободной поверхности большого объёма расплава с инициацией начала кристаллизации путём приведения затравочного кристалла заданной структуры и кристаллографической ориентации в контакт со свободной поверхностью расплава.
Планарная технология — совокупность технологических операций, используемых при изготовлении планарных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Процесс включает в себя формирование отдельных компонентов транзисторов, а также объединение их в единую структуру. Это основной процесс при создании современных интегральных схем. Данная технология была разработана Жаном Эрни, одним из членов «вероломной восьмёрки», во время работы в Fairchild Semiconductor. Технология впервые была запатентована в 1959 году.
Бестигельная зонная плавка — метод получения кристаллов из малого объёма расплава, формально являющийся разновидностью зонной плавки, не использующей тигля или иного контейнера.
Эпитаксия из жидкой фазы в основном применяется для получения многослойных полупроводниковых соединений, таких как GaAs, CdSnP2; также является основным способом получения монокристаллического кремния (Метод Чохральского).
Полупроводниковые материалы — вещества с чётко выраженными свойствами полупроводник, включая комнатную полупроводниковых приборов. Удельная электрическая проводимость σ при 300 К составляет 10−4−10~10 Ом−1·см−1 и увеличивается с ростом температуры. Для полупроводниковых материалов характерна высокая чувствительность электрофизических свойств к внешним воздействиям, а также к содержанию структурных дефектов и примесей.
Нитри́д га́ллия — бинарное неорганическое химическое соединение галлия и азота. Химическая формула GaN. При обычных условиях очень твёрдое вещество с кристаллической структурой типа вюрцита. Прямозонный полупроводник с широкой запрещённой зоной — 3,4 эВ.
Карби́д кре́мния (карбору́нд) — бинарное неорганическое химическое соединение кремния с углеродом. Химическая формула SiC. В природе встречается в виде чрезвычайно редкого минерала — муассанита. Порошок карбида кремния был получен в 1893 году. Используется как абразив, полупроводник, в микроэлектронике, для имитирующих алмаз вставок в ювелирные украшения.
Технологический процесс полупроводникового производства — технологический процесс по изготовлению полупроводниковых (п/п) изделий и материалов; часть производственного процесса по изготовлению п/п изделий ; состоит из: последовательности технологических и контрольных операций.
Разделение полупроводниковых пластин на кристаллы — этап технологического процесса в электронной промышленности. Разделение полупроводниковых пластин на отдельные кристаллы производится одним из двух основных способов:
- скрайбированием (надрезанием) и последующим разламыванием;
- сквозным разрезанием: за один проход пластину прорезают режущим инструментом, что позволяет разрезать пластину толщиной до 1 мм и диаметром 100—150 мм со скоростью до 150 мм/с, на глубину 300 мкм и более.
Тетраброми́д кре́мния — бинарное неорганическое соединение кремния и брома с формулой SiBr4, бесцветная жидкость, дымится на воздухе, гидролизуется водой.
16 декабря 1947 года физик-экспериментатор Уолтер Браттейн, работавший с теоретиком Джоном Бардином, собрал первый работоспособный точечный транзистор. Спустя полгода, но до обнародования работ Бардина и Браттейна, немецкие физики Герберт Матаре и Генрих Велькер представили разработанный во Франции точечный транзистор («транзистрон»). Так из безуспешных попыток создать сначала твердотельный аналог вакуумного триода, а затем — полевой транзистор родился первый несовершенный точечный биполярный транзистор.
Синтетические алмазы или искусственные алмазы — это алмазы, получаемые в результате искусственного процесса, в отличие от натуральных алмазов, создаваемых в результате геологических процессов.
Кре́мниевый дре́йфовый дете́ктор — тип полупроводникового детектора ионизирующего излучения, используемый в рентгеновской спектроскопии и электронной микроскопии. Преимуществом данного типа детекторов является маленькая собственная ёмкость анода и низкий уровень шума.
Метод Вернейля — способ выращивания монокристаллов с температурой плавления в пределах 1173—2773 К, использующийся для создания искусственных драгоценных камней, преимущественно синтетических рубинов и сапфиров.
Серге́й Арсе́ньевич Куку́шкин — российский физик и химик, специалист в области кинетической теории фазовых переходов первого рода, роста тонких пленок и наноструктур, лауреат государственных премий за открытие, объяснение, и внедрение в производство топохимической реакции монооксида углерода с поверхностью кремния по принципу эндотаксиальной (хемоэпитаксиальной) самосборки замещающих атомов с образованием наноплёнки карбида кремния, которая может стать основой интегральных микросхем, дополнив или заменив кремний.
ГНК александрит или хромсодержащий хризоберилл александрит, полученный в результате процесса горизонтальной направленной кристаллизации.