Полупроводни́к — материал, по удельной проводимости занимающий промежуточное место между проводниками и диэлектриками, и отличающийся от проводников (металлов) сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и воздействия различных видов излучения. Основным свойством полупроводников является увеличение электрической проводимости с ростом температуры.
Жоре́с Ива́нович Алфёров — советский, белорусский и российский учёный-физик, политический деятель.
Арсени́д га́ллия (GaAs) — химическое соединение галлия и мышьяка. Важный полупроводник, третий по масштабам использования в промышленности после кремния и германия. Используется для создания сверхвысокочастотных интегральных схем и транзисторов, светодиодов, лазерных диодов, диодов Ганна, туннельных диодов, фотоприёмников и детекторов ядерных излучений.
Молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) — эпитаксиальный рост в условиях сверхвысокого вакуума. Позволяет выращивать гетероструктуры заданной толщины с моноатомно гладкими гетерограницами и с заданным профилем легирования. В установках МПЭ имеется возможность исследовать качество плёнок «in situ». Для процесса эпитаксии необходимы специальные хорошо очищенные подложки с атомарно-гладкой поверхностью.
Гетерострукту́ра — выращенная на подложке структура, состоящая из слоёв различных материалов, которые различаются шириной запрещённой зоны и/или сродством к электрону.
Принц-технология — метод формирования трёхмерных микро- и наноструктур, основанный на отделении напряжённых полупроводниковых плёнок от подложки и последующего сворачивания их в пространственный объект. Технология названа в честь учёного работавшего в Институте физики полупроводников СО РАН Виктора Яковлевича Принца, предложившего этот метод в 1995 году.
Эпитаксия из жидкой фазы в основном применяется для получения многослойных полупроводниковых соединений, таких как GaAs, CdSnP2; также является основным способом получения монокристаллического кремния (Метод Чохральского).
Полупроводниковые материалы — вещества с чётко выраженными свойствами полупроводник, включая комнатную полупроводниковых приборов. Удельная электрическая проводимость σ при 300 К составляет 10−4−10~10 Ом−1·см−1 и увеличивается с ростом температуры. Для полупроводниковых материалов характерна высокая чувствительность электрофизических свойств к внешним воздействиям, а также к содержанию структурных дефектов и примесей.
Антимони́д и́ндия — кристаллическое бинарное неорганическое химическое соединение, соединение индия и сурьмы. Химическая формула InSb.
Арсени́д га́ллия-и́ндия — тройное соединение мышьяка с трехвалентными индием и галлием, соединение переменного состава, состав выражается химической формулой GaxIn1-xAs. Здесь параметр x принимает значения от 0 до 1 и показывает относительное количество атомов галлия и индия в соединении. При x=1 формула отвечает арсениду галлия (GaAs), при x=0 — арсениду индия (InAs).
Кафедра микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ» — кафедра факультета электроники Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина).
Юрий Михайлович Таиров — специалист в области физики и технологии широкозонных полупроводников и электронных приборов на их основе. Автор свыше 300 научных публикаций, в том числе 5 монографий. Доктор технических наук (1975), профессор (1977). Кавалер ордена Трудового Красного Знамени.
Валерий Сергеевич Сорокин — специалист в области твердотельной электроники, доктор физико-математических наук (1991), профессор (1993).
Вячеслав Алексеевич Мошников — специалист в области локальных методов диагностики твёрдого тела, физики и технологии узкозонных полупроводников и полупроводниковой сенсорики. Доктор физико-математических наук (1997), профессор (1999).
Алексей Евгеньевич Жуков — специалист в области полупроводниковых наноструктур и электронных приборов на их основе, член-корреспондент РАН (2008).
Пётр Серге́евич Копьев — советский и российский физик, специалист в области физики и технологии полупроводниковых наногетероструктур, руководитель Центра физики наногетероструктур ФТИ им. А. Ф. Иоффе (Физтеха) в Санкт-Петербурге, член-корреспондент РАН (2008).
Антон Юрьевич Егоров — российский физик, специалист в области физики и технологии наногетероструктур полупроводниковых твердых растворов, приборов оптоэлектроники и микроэлектроники на их основе, член-корреспондент РАН (2011).
Бори́с Васи́льевич Царенко́в — советский и российский учёный-физик, автор научных трудов по технологии материалов для полупроводниковых лазеров. Лауреат Ленинской премии.
Серге́й Ви́кторович Ивано́в — советский и российский учёный-физик, нанотехнолог, специалист в области полупроводниковых гетероструктур, низкоразмерных систем и молекулярно-пучковой эпитаксии. Доктор физико-математических наук, профессор. Директор Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН в Санкт-Петербурге. Член-корреспондент РАН с 2022 года.
Дмитрий Николаевич Третьяков (1935—2002) — советский и российский учёный, лауреат Ленинской премии (1972).
