Ма́ртин Э́двард Хе́ллман — американский криптограф. Получил известность благодаря разработке первой асимметричной криптосистемы в соавторстве с Уитфилдом Диффи и Ральфом Мерклем (1976). Один из активных сторонников либерализации в сфере криптографии. Хеллман долгое время являлся участником конференции компьютерной конфиденциальности, в последнее время работает над анализом рисков ядерной угрозы.
Транзи́стор, полупроводнико́вый трио́д — электронный компонент из полупроводникового материала, способный небольшим входным сигналом управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
Го́рдон Эрл Му́р — американский инженер, деятель в области компьютерных технологий, предприниматель и миллиардер. Соучредитель корпорации Intel, затем её президент и почётный председатель; посвятил ей почти треть века своей жизни. Сформулировал закон Мура.
Джон Барди́н — американский физик, один из пяти человек, получивших за свою жизнь по две Нобелевские премии; единственный учёный в истории, получивший две Нобелевские премии по физике: в 1956 году за транзистор совместно с Уильямом Брэдфордом Шокли и Уолтером Браттейном и в 1972 году за основополагающую теорию обычных сверхпроводников совместно с Леоном Нилом Купером и Джоном Робертом Шриффером. Сейчас эта теория называется теорией Бардина — Купера — Шриффера, или просто БКШ-теория.
Транзи́стор с пла́вающим затво́ром — разновидность полевого МОП-транзистора, используемая в различных устройствах энергонезависимой памяти: флэш-памяти, EEPROM.
Лео Эсаки — японский физик, лауреат Нобелевской премии 1973 года. Внес значительный фундаментальный вклад в физику полупроводниковых материалов. Известен также как изобретатель диода Эсаки, использующего эффект туннелирования электрона. Доктор философии (1959), с 1960 года сотрудник IBM, член НАН США и Японской АН, иностранный член Американского философского общества (1991).
Ро́берт Беттс Ла́флин — профессор физики и прикладной физики в Стэнфордском университете, лауреат Нобелевской премии по физике в 1998 году, совместно с Хорстом Штёрмером и Дэниелом Цуи, «за открытие новой формы квантовой жидкости с возбуждениями, имеющими дробный электрический заряд».
МОП-транзи́стор, или Полево́й (униполя́рный) транзи́стор с изоли́рованным затво́ром — полупроводниковый прибор, разновидность полевых транзисторов. Аббревиатура МОП образована от слов «металл-оксид-полупроводник», обозначающих последовательность типов материалов в основной части прибора.
Пол Кристиан Ло́тербур — американский химик, лауреат Нобелевской премии по медицине (2003) «за изобретение метода магнитно-резонансной томографии».
Ро́берт Э́ллиот (Боб) Кан — изобретатель протокола TCP; совместно с Винтоном Серфом — изобретатель протокола IP. Часто именуется в СМИ одним из «отцов интернета».
Медаль почёта IEEE — награда, которая вручается Институтом инженеров электротехники и электроники (IEEE) за выдающийся вклад в электронику и электротехнику; высшая награда IEEE. Медаль вручается ежегодно с 1919 года и только одному человеку. Награда учреждена в 1917 году, и изначально называлась Золотой медалью Почёта Института радиоинженеров. Получила своё современное название в 1963 году, когда Институт радиоинженеров совершил слияние с Американским институтом электротехников.
16 декабря 1947 года физик-экспериментатор Уолтер Браттейн, работавший с теоретиком Джоном Бардином, собрал первый работоспособный точечный транзистор. Спустя полгода, но до обнародования работ Бардина и Браттейна, немецкие физики Герберт Матаре и Генрих Велькер представили разработанный во Франции точечный транзистор («транзистрон»). Так из безуспешных попыток создать сначала твердотельный аналог вакуумного триода, а затем — полевой транзистор родился первый несовершенный точечный биполярный транзистор.
Курт Леговец, также Леговек — чешский, впоследствии американский, физик и изобретатель, исследователь полупроводников. В начале 1959 года Леговец изобрёл и запатентовал технологию изоляции полупроводниковых приборов p-n-переходом — одну из трёх фундаментальных технологий, сделавших возможным создание монолитных интегральных схем. Леговец — автор модели пространственного заряда в поверхностных слоях ионных кристаллов, соавтор первой теоретической модели светоизлучающего диода на карбиде кремния (1951), эквивалентной схемы МДП-транзистора, физической модели МДП-транзистора. Все эти работы Леговца созданы в США, куда он был вывезен в 1947 году в ходе операции «Скрепка».
Роберт Меткалф — американский инженер и учёный в области информатики, изобретатель сети Ethernet, внёсший значительный вклад в её дальнейшее развитие, всеобщее признание и стандартизацию. Лауреат Тьюринговской премии (2022).
Роберт Лэнгер — американский учёный, инженер и предприниматель. Труды в основном посвящены биомедицине и биотехнологиям. Лауреат многих престижных премий. Член Национальной академии наук США и иностранный член Королевской инженерной академии наук Великобритании.
Закон масштабирования Деннарда — эмпирический закон о прогрессе вычислительной техники: «уменьшая размеры транзистора и повышая тактовую частоту процессора, возможно пропорционально повышать производительность».
Роберт Луи Байер — американский физик. Президент Оптического общества Америки в 1994 году и Американского физического общества в 2012 году.
Кан Дэвон — корейско-американский инженер-электрик и изобретатель, наиболее популярен своими работами в области твердотельной электроники. Кан Дэвон известен своим изобретением MOSFET, также именуемого как MOS-транзистор. Работа была проделана совместно с Мохамедом Аталлой в 1959 году. Аталла и Кан разработали процессы PMOS и NMOS для изготовления полупроводниковых устройств MOSFET.
Си́дни Да́рлингтон — американский инженер-электрик и изобретатель: в 1953 году он изобрёл конфигурацию транзисторов, названную «составной транзистор». Он также внёс значительный вклад в теорию сетей, разработав подход к синтезу вносимых потерь, и изобрёл ЛЧМ-радар, бомбовые прицелы, наведение пушек и ракет.
Фудзио Масуока — японский инженер, работавший в Toshiba и университете Тохоку. В настоящее время — технический директор основанной им фирмы Unisantis Electronics. Является изобретателем флеш-памяти, в том числе разработчиком NOR и NAND флеш-памяти. Кроме того, в 1988 году он был руководителем команды разработчиков первого МОП-транзистора с универсальным затвором (GAA) (GAAFET).
премия Харви (1990) Медаль почёта IEEE (2009) Национальный зал славы изобретателей США (1997) премия Чарльза Старка Дрейпера (2009) премия Киото в области передовых технологий[вд] (2013) Премия Лемельсона (2005) IRI Achievement Award[вд] (1990) NAS Award for the Industrial Application of Science[вд] (2017)
