55°58′41″ с. ш. 37°10′10″ в. д.HGЯO

Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН

Перейти к навигацииПерейти к поиску
Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН
(ИППМ РАН)
Международное название The Institute for Design Problems in Microelectronics
Основан1986
Материнская организацияОтдел нанотехнологий и информационных технологий[вд] и Минобрнауки России[1]
Директор д.т.н., проф. С. В. Гаврилов
Сотрудниковоколо 80
РасположениеМосква, Зеленоград, ул.Советская, 3
Сайтippm.ru

Институ́т пробле́м проекти́рования в микроэлектро́нике РАН (ИППМ РАН) — научно-исследовательский институт Отделения нанотехнологий и информационных технологий Российской академии наук, расположен в Зеленограде.

История

Основан 1 октября 1986 года как НИИ систем автоматизированного проектирования радиоэлектронной аппаратуры и сверхбольших интегральных схем Академии наук СССР (НИИСАПРАН), современное название с апреля 1998 года. Планировалось, что вместе с рядом других НИИ и заводов институт войдёт в состав нового крупного межведомственного «Центра информатики и электроники» (ЦИЭ), однако после распада СССР институт и развалины основного комплекса зданий ЦИЭ стали единственными напоминаниями о соответствующем проекте в Зеленограде.

Директора

  • Баталов Борис Васильевич (1986—1989)[2], член-корреспондент АН СССР;
  • Валиев Камиль Ахметович (1989—1992, исполняющий обязанности), академик АН СССР и РАН;
  • Стемпковский Александр Леонидович (1992—2018), академик РАН;
  • Гаврилов Сергей Витальевич (с 2019 года по н.в.).

Направления фундаментальных научных исследований

Развитие российского и международного научного сотрудничества

ИППМ РАН, совместно с Комиссией Европейских Сообществ, Комитетом при Президенте России по политике информатизации, Международной ассоциацией по обработке информации, Ассоциацией по вычислительной технике, ОАО «Телеком», а также рядом европейских университетов, организовал серию международных семинаров по автоматизации проектирования (RUSSIAN WORKSHOP), пан-европейский форум, посвященный сотрудничеству европейских ученых в области науки, техники и образования, международный семинар по многоуровневому проектированию низкомощностных схем, серию международных конференций по проблемам твердотельной фотоники, оптоэлектроники и методологии проектирования фотоприёмных устройств.

С 2005 года институт проводит серию всероссийских научно-технических конференций «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем»[3].

Подготовка научных кадров

При институте действует диссертационный совет по защите докторских и кандидатских диссертаций. Инженерные кадры готовятся в учебных центрах НИУ МИЭТ и МИЭМ НИУ ВШЭ, созданных при ИППМ РАН. С 2008 года при институте работают Научно-образовательный центр «Разработка микро- и наноэлектронных систем» и совместная лаборатория с Южным федеральным университетом.

Известные учёные

Примечания

  1. Единый Государственный Реестр Юридических Лиц, ЕГРЮЛ
  2. История ИППМ РАН (официальный сайт). Дата обращения: 17 ноября 2017. Архивировано 17 ноября 2017 года.
  3. «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем» (официальный сайт конференции). Дата обращения: 12 ноября 2017. Архивировано 13 ноября 2017 года.

Ссылки