Растровый электронный микроскоп (РЭМ) или сканирующий электронный микроскоп (СЭМ) — прибор класса электронный микроскоп, предназначенный для получения изображения поверхности объекта с высоким пространственным разрешением, также информации о составе, строении и некоторых других свойствах приповерхностных слоёв. Основан на принципе взаимодействия электронного пучка с исследуемым объектом.
Дифра́кция электро́нов — процесс рассеяния электронов на совокупности частиц вещества, при котором электрон проявляет волновые свойства. Данное явление объясняется корпускулярно-волновым дуализмом, в том смысле, что частица вещества может быть описана, как волна.
Электро́нный микроско́п (ЭМ) — прибор, позволяющий получать изображение объектов с максимальным увеличением до 106 раз, благодаря использованию, в отличие от оптического микроскопа, вместо светового потока, пучка электронов с энергиями 200 эВ — 400 кэВ и более (например, просвечивающие электронные микроскопы высокого разрешения с ускоряющим напряжением 1 МВ).
Атомно-силовой микроскоп — сканирующий зондовый микроскоп высокого разрешения. Нужен для определения рельефа поверхности с разрешением от десятков ангстрем вплоть до атомарного.
Микроскопия (МКС) — изучение объектов с использованием микроскопа. Подразделяется на несколько видов: оптическая микроскопия, электронная микроскопия, многофотонная микроскопия, рентгеновская микроскопия, рентгеновская лазерная микроскопия и предназначается для наблюдения и регистрации увеличенных изображений образца.
Просве́чивающий (трансмиссио́нный) электро́нный микроско́п — устройство для получения изображения с помощью проходящего через образец пучка электронов.
Метод энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии — аналитический метод элементного анализа твёрдого вещества, базирующийся на анализе энергии эмиссии его рентгеновского спектра, вариант рентгеноспектрального анализа.
Дифракция медленных электронов сокр., ДМЭ, ДЭНЭ иначе дифракция электронов низкой энергии — метод исследования структуры поверхности твердых тел, основанный на анализе картин дифракции низкоэнергетических электронов с энергией 30-200 эВ, упруго рассеянных от исследуемой поверхности. Позволяет изучать реконструкцию поверхности.
Дифракция быстрых электронов сокр., ДБЭ — метод исследования структуры поверхности твердых тел, основанный на анализе картин дифракции электронов с энергией 5-100 кэВ, упруго рассеянных от исследуемой поверхности под скользящими углами.
Сканирующий ионный гелиевый микроскоп (СИГМ) — сканирующий (растровый) микроскоп, по принципу работы аналогичный сканирующему электронному микроскопу, но использующий вместо электронов пучок ионов гелия.
Флуоресце́нтная микроскопи́я — метод получения увеличенного изображения с использованием люминесценции возбуждённых атомов и молекул образца. Широко применяется в материаловедении и медико-биологических областях.
Низково́льтный электро́нный микроско́п (LVEM) — электронный микроскоп, работающий при низких ускоряющих напряжений электронов — в несколько киловольт или даже ниже. Несмотря на то, что низковольтный электронный микроскоп вряд ли сможет когда-нибудь полностью заменить традиционный просвечивающий электронный микроскоп, он полезен во многих практических приложениях.
Спектроскопия характеристических потерь энергии электронами — разновидность электронной спектроскопии, в которой исследуемая материя подвергается облучению электронами с узким диапазоном энергий, и изучаются потери энергии неупруго рассеянных электронов.
Просвечивающий растровый электронный микроскоп — вид просвечивающего электронного микроскопа (ПЭМ). Как и в любой просвечивающей схеме освещения электроны проходят через весьма тонкий образец. Однако в отличие от традиционной ПЭМ в ПРЭМ электронный пучок фокусируется в точку, которой проводят растровое сканирование.
Энергетически фильтруемая просвечивающая электронная микроскопия — методика в просвечивающей электронной микроскопии в которой для формирования изображения или дифракционной картины используются электроны с заданным диапазоном кинетических энергий. Методика может применяться для исследования химического состава в связке с комплементарными методиками, такими как электронная кристаллография.
Квантовый загон — нанообъект, представляющий собой двумерную фигуру, образованную атомами адсорбата, на атомарно чистой поверхности монокристалла металла, путём атомных манипуляций с помощью сканирующей туннельной микроскопии.
Нанометрология — раздел метрологии, включающий разработку теории, методов и инструментов для измерения параметров объектов, линейные размеры которых находятся в нанодиапазоне, то есть от 1 до 100 нанометров.
Отражательная электронная микроскопия (ОЭМ) — разновидность микроскопии, в которой для формирования изображения поверхности используются рассеянные высокоэнергетические электроны, падающие на поверхность под скользящими углами.
Криоэлектронная микроскопия или электронная криомикроскопия — это форма просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ, англ. TEM), в которой образец исследуется при криогенных температурах. КриоЭМ набирает популярность в структурной биологии, так как позволяет наблюдать за образцами, которые не были окрашены или каким-либо образом зафиксированы, показывая их в их родной среде. Это контрастирует с рентгеновской кристаллографией, которая требует кристаллизации образца, что может быть затруднено, и помещать их в нефизиологические среды, что может иногда приводить к функционально несоответствующим конформационным изменениям.
Электронная крио-томография — способ получения трехмерного изображения с высоким разрешением. Используется для получения изображений биологических макромолекул и клеток.
