Транзи́стор, полупроводнико́вый трио́д — электронный компонент из полупроводникового материала, способный небольшим входным сигналом управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
КМОП — набор полупроводниковых технологий построения интегральных микросхем и соответствующая ей схемотехника микросхем. Подавляющее большинство современных цифровых микросхем выполнены по технологии КМОП.
МОП-транзи́стор, или Полево́й (униполя́рный) транзи́стор с изоли́рованным затво́ром — полупроводниковый прибор, разновидность полевых транзисторов. Аббревиатура МОП образована от слов «металл-оксид-полупроводник», обозначающих последовательность типов материалов в основной части прибора.
Ро́берт Джон Ви́длар — американский инженер в области электроники, основоположник схемотехники аналоговых интегральных схем. Видлар выполнил свои важнейшие работы в 1964—1970 годах в союзе с технологом Дэвидом Тэлбертом. Видлар разработал, а Тэлберт довёл до серийного выпуска первый интегральный операционный усилитель (ОУ) μA702 (1964), первый массовый интегральный ОУ μA709 (1965), первый ОУ второго поколения LM101 (1967), первый интегральный стабилизатор напряжения LM100 (1966) и первый трёхвыводной стабилизатор LM109 (1970). Они первыми применили в аналоговых схемах пинч-резисторы, полевые транзисторы, многоколлекторные и супер-бета биполярные транзисторы. Видлар — изобретатель названных его именем источника стабильного тока (1964), источника образцового напряжения (1969) и выходного каскада усиления (1977). Все современные схемы интегральных источников опорных токов и напряжений опираются на разработки Видлара 1960-х годов.
Схемы на переключаемых конденсаторах — обширный класс схемотехнических решений, основанный на периодической коммутации конденсаторов.
SPICE — симулятор электронных схем общего назначения с открытым исходным кодом. Является мощной программой, используемой в разработке как интегральных схем, так и печатных плат для проверки целостности схемы и для анализа её поведения.
SPARC T3 — многоядерный многопоточный микропроцессор с системой команд SPARC V9, выпущенный компанией Oracle Corporation в 2010 году. Преемник процессора UltraSPARC T2. В 2011 году был представлен процессор-преемник SPARC T4.
Барри Гилберт — английский инженер-электронщик, автор более сорока изобретений, включая ячейку Гилберта. Основатель транслинейной схемотехники, Гилберт сформулировал в 1975 году принцип транслинейности.
Яче́йка Ги́лберта в электронике — схема четырёхквадрантного аналогового умножителя, предложенная Барри Гилбертом в 1968 году. Она представляет собой ядро умножителя на трёх дифференциальных каскадах, дополненное диодными преобразователями входных напряжений в токи. Ячейка Гилберта, в модифицированной бета-зависимой форме, выполняет функцию смесителя или балансного модулятора в большинстве современных радиоприёмников и сотовых телефонов.
16 декабря 1947 года физик-экспериментатор Уолтер Браттейн, работавший с теоретиком Джоном Бардином, собрал первый работоспособный точечный транзистор. Спустя полгода, но до обнародования работ Бардина и Браттейна, немецкие физики Герберт Матаре и Генрих Велькер представили разработанный во Франции точечный транзистор («транзистрон»). Так из безуспешных попыток создать сначала твердотельный аналог вакуумного триода, а затем — полевой транзистор родился первый несовершенный точечный биполярный транзистор.
Курт Леговец, также Леговек — чешский, впоследствии американский, физик и изобретатель, исследователь полупроводников. В начале 1959 года Леговец изобрёл и запатентовал технологию изоляции полупроводниковых приборов p-n-переходом — одну из трёх фундаментальных технологий, сделавших возможным создание монолитных интегральных схем. Леговец — автор модели пространственного заряда в поверхностных слоях ионных кристаллов, соавтор первой теоретической модели светоизлучающего диода на карбиде кремния (1951), эквивалентной схемы МДП-транзистора, физической модели МДП-транзистора. Все эти работы Леговца созданы в США, куда он был вывезен в 1947 году в ходе операции «Скрепка».
NGSPICE — симулятор электронных схем общего назначения с открытым исходным кодом, обеспечивающий моделирование в режиме смешанных сигналов (mixed-signal) и на смешанном уровне (mixed-level). Является расширением Spice3f5, включившим в себя код проекта Cider, обеспечивающий моделирование на смешанном уровне, и проекта XSPICE, обеспечивающий моделирование смешанных сигналов. Является мощной программой, используемой в разработке как интегральных схем, так и печатных плат для проверки целостности схемы и для анализа её поведения.
Баллистические транзисторы — собирательное название электронных устройств, где носители тока движутся без диссипации энергии и длина свободного пробега носителей намного больше размера канала транзистора. В теории эти транзисторы позволят создать высокочастотные интегральные схемы, поскольку быстродействие определяется временем пролёта между эмиттером и коллектором или, другими словами, расстоянием между контактами, делённым на скорость электронов. В баллистическом транзисторе скорость электронов определяется фермиевской скоростью, а не дрейфовой скоростью, связанной с подвижностью носителей тока. Для реализации такого типа транзистора необходимо исключить рассеяние на дефектах кристалла в токовом канале, что можно достичь только в очень чистых материалах, таких как гетероструктура GaAs/AlGaAs. Двумерный электронный газ, сформированный в GaAs квантовой яме, обладает высокой подвижностью при низкой температуре и соответственно большей, чем в других материалах, длиной свободного пробега, что позволяет создавать при помощи электронной литографии устройства, где траекторией электронов можно управлять с помощью затворов или зеркально рассеивающих дефектов, хотя обычный полевой транзистор тоже будет работать как баллистический. Баллистические транзисторы также созданы на основе углеродных нанотрубок, где благодаря отсутствию обратного рассеяния рабочие температуры даже выше, чем в случае с GaAs.
Бандга́п — стабильный транзисторный источник опорного напряжения (ИОН), величина которого определяется шириной запрещённой зоны используемого полупроводника. Для легированного монокристаллического кремния, имеющего при Т=0 К ширину запрещённой зоны Eg=1,143 эВ, напряжение VREF на выходе бандгапа обычно составляет от 1,18 до 1,25 В или кратно этой величине, а его предельное отклонение от нормы во всём диапазоне рабочих температур и токов составляет не более 3 %. Бандгапы изготовляются в виде двухвыводных «прецизионных диодов» и аналоговых микросхем, но основная область их применения — внутренние источники опорных напряжений, встроенные в микросхемы памяти, стабилизаторов напряжения, мониторов (супервизоров) цепей питания цифровой техники, аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей.
То́ковый конве́йер — абстрактная модель универсального трёхвыводного электронного устройства обработки аналоговых сигналов в базисах токов и напряжений, идеализированный аналог транзистора. Два входа токового конвейера оперируют токами и напряжениями и передают ток на выход конвейера, обладающий бесконечно большим выходным сопротивлением. В теории устройства на токовых конвейерах способны выполнять все функции, выполняемые классическими операционными усилителями (ОУ) с обратной связью по напряжению, как правило — с лучшими показателями быстродействия, точности и с меньшим количеством внешних компонентов. На практике токовые конвейеры не смогли составить конкуренцию классическому ОУ и нашли лишь ограниченное применение. В 1988—2015 годы промышленность выпустила всего шесть интегральных схем этого класса. Наиболее массовой областью применения токового конвейера стали входные каскады быстродействующих операционных усилителей с токовой обратной связью. Эти усилители имеют практически неограниченную скорость нарастания выходного напряжения при частоте среза свыше 1 ГГц.
Логические трудозатраты, метод логических трудозатрат — термин, введённый Айвеном Сазерлендом и Бобом Спроулом в 1991 году в описании разработанного ими метода оценки временной задержки в логических элементах КМОП. Метод позволяет выбрать оптимальную конфигурацию логических схем для выполнения определённой логической функции и масштабировать логические схемы для достижения минимальной возможной временной задержки.
Закон масштабирования Деннарда — эмпирический закон о прогрессе вычислительной техники: «уменьшая размеры транзистора и повышая тактовую частоту процессора, возможно пропорционально повышать производительность».
Са Чжита́н — китайский и американский учёный, почётный член отделения Электрической и Компьютерной инженерии Университета Флориды.
Кан Дэвон — корейско-американский инженер-электрик и изобретатель, наиболее популярен своими работами в области твердотельной электроники. Кан Дэвон известен своим изобретением MOSFET, также именуемого как MOS-транзистор. Работа была проделана совместно с Мохамедом Аталлой в 1959 году. Аталла и Кан разработали процессы PMOS и NMOS для изготовления полупроводниковых устройств MOSFET.
Фудзио Масуока — японский инженер, работавший в Toshiba и университете Тохоку. В настоящее время — технический директор основанной им фирмы Unisantis Electronics. Является изобретателем флеш-памяти, в том числе разработчиком NOR и NAND флеш-памяти. Кроме того, в 1988 году он был руководителем команды разработчиков первого МОП-транзистора с универсальным затвором (GAA) (GAAFET).