Нитрид индия
Перейти к навигацииПерейти к поиску
| Нитрид индия | |
|---|---|
| Общие | |
| Систематическое наименование | Нитрид индия(III) |
| Хим. формула | InN |
| Физические свойства | |
| Состояние | черные кристаллы |
| Молярная масса | 128,83 г/моль |
| Плотность | 6,86-6,91 г/см³ |
| Классификация | |
| Рег. номер CAS | 25617-98-5 |
| PubChem | 117560 |
| Рег. номер EINECS | 247-130-6 |
| SMILES | |
| InChI | |
| ChemSpider | 105058 |
| Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное. | |
Нитри́д и́ндия (InN) — бинарное неорганическое соединение металла индия и азота с формулой InN, чёрные кристаллы.
Получение
- Разложение комплексного гексафтороиндиата натрия в атмосфере аммиака:
![{\displaystyle {\mathsf {Na_{3}[InF_{6}]+NH_{3}\ \xrightarrow {600^{o}C} \ InN+3NaF+3HF}}.}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/67efe54254ecb0f67c25b0cb839f7cab4e7a7694)
- Разложение гексафтороиндиата аммония:
![{\displaystyle {\mathsf {(NH_{4})_{3}[InF_{6}]\ \xrightarrow {600^{o}C} \ InN+2NH_{4}F+4HF}}.}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/7e8175c6dd03b0dcc4127b4414d78daf321278df)
Физические свойства
Нитрид индия образует чёрные диамагнитные кристаллы гексагональной сингонии, пространственная группа P 6mc, параметры ячейки a = 0,3533 нм, c = 0,5692 нм, Z = 2.
Полупроводник с шириной запрещённой зоны порядка ~0,7 эВ , в зависимости от температуры. При температурах ниже 4 К — сверхпроводник.
Применение
Нитрид индия добавляют в нитрид галлия при производстве ультрафиолетовых, синих светодиодов. Перспективен также как материал для солнечных батарей, с утилизацией света с длиной волны до 1900 нм.
Лите[1]ратура
- Справочник химика / Редкол.: Никольский Б.П. и др.. — 2-е изд., испр. — М.—Л.: Химия, 1966. — Т. 1. — 1072 с.
- Рипан Р., Четяну И. Неорганическая химия. Химия металлов. — М.: Мир, 1971. — Т. 1. — 561 с.
Примечания
- ↑ T.Inushima, V.V.Mamutin, et al. [J.Cryst.Growth, 227/228, 481-485, 2001. Physical properties of InN with band gap lower than 1.0 eV.] (англ.) // Proc. of XI-th Intern.Conf. on MBE, Beijing,2000. — 2000. — 1 сентября (№ 227/228). — С. 481-485.
