Плазмотро́н — техническое устройство, в котором при протекании электрического тока через разрядный промежуток образуется плазма, используемая для обработки материалов или как источник света и тепла. Буквально, плазмотрон означает — генератор (производитель) плазмы.
Плазменная резка — вид плазменной обработки материалов, при котором в качестве режущего инструмента вместо резца используется струя плазмы.
Травление — группа технологических приёмов для управляемого удаления поверхностного слоя материала с заготовки под действием химических веществ. Ряд способов травления предусматривает активацию травящих реагентов посредством других физических явлений, например, наложением внешнего электрического поля при электрохимическом травлении, ионизацией атомов и молекул реагентов при ионно-плазменном травлении и т. п.
Пла́зменное напыле́ние — процесс нанесения покрытия на поверхность изделия с помощью плазменной струи.
Газотермическое напыление — это процесс нагрева, диспергирования и переноса конденсированных частиц распыляемого материала газовым или плазменным потоком для формирования на подложке слоя нужного материала. Под общим названием газотермическое напыление (ГТН) объединяют следующие методы: газопламенное напыление, высокоскоростное газопламенное напыление, детонационное напыление, плазменное напыление, напыление с оплавлением, электродуговая металлизация и активированная электродуговая металлизация.
Вакуумное напыление — группа методов напыления покрытий в вакууме, при которых покрытие получается путём прямой конденсации пара наносимого материала.
Плазменная наплавка является современным способом нанесения износостойких покрытий на рабочую поверхность при изготовлении и восстановления изношенных деталей машин.
Покры́тие в материаловедении – это нанесённый на объект относительно тонкий поверхностный слой из другого материала. Целью нанесения покрытия является улучшение поверхностных свойств основного материала, обычно называемого материалом подложки. Улучшают, среди прочих, такие свойства, как внешний вид, адгезию, смачиваемость, стойкость к коррозии, износостойкость, стойкость к высоким температурам, электропроводность. Покрытия могут наноситься в жидкой, газообразной или твердой фазах, но в результате они составляют одно целое с основным материалом.
Магнетронное распыление — технология нанесения тонких плёнок на подложку с помощью катодного распыления мишени в плазме магнетронного разряда — диодного разряда в скрещённых полях. Технологические устройства, предназначенные для реализации этой технологии, называются магнетронными распылительными системами, или, сокращённо, магнетронами.
Плазменная активация - обработка поверхности плазмой для образования свободных радикалов на обрабатываемой поверхности с целью формирования химически активного поверхностного слоя.
Плазмохимия — раздел физической химии, изучает химические и физико-химические процессы в низкотемпературной плазме.
Хими́ческое осажде́ние из га́зовой фа́зы (ХОГФ) — процесс, используемый для получения высокочистых твёрдых материалов. Процесс часто используется в индустрии полупроводников для создания тонких плёнок. Как правило, при процессе CVD подложка помещается в пары одного или нескольких веществ, которые, вступая во взаимные реакции и/или разлагаясь, формируют на поверхности подложки слой необходимого вещества. Побочно часто образуется также газообразные продукты реакции, выносимые из камеры осаждения потоком газа-носителя.
Вакуумно-дуговое нанесение покрытий — это физический метод нанесения покрытий в вакууме, путём конденсации на подложку материала из плазменных потоков, генерируемых на катоде-мишени в катодном пятне вакуумной дуги сильноточного низковольтного разряда, развивающегося исключительно в парах материала электрода.
Плазменно-химическое осаждение из газовой фазы сокр., ПХО; ПХГФО иначе плазмохимическое газофазное осаждение; осаждение из паровой фазы стимулированное плазмой — процесс химического осаждения тонких плёнок из паровой фазы при низком давлении с использованием высокочастотной плазмы.
Исто́чники пла́змы - устройства, предназначенные для создания плазмы. Создание плазмы требует по меньшей мере частичной ионизации нейтральных атомов и/или молекул среды. В технике, как правило, для создания плазмы используются те или иные виды газового разряда.
Ио́нное распыле́ние — эмиссия атомов с поверхности твёрдого тела при его бомбардировке тяжёлыми заряженными или нейтральными частицами. В случае, когда речь идёт о бомбардировке отрицательно заряженного электрода (катода) положительными ионами, используется также термин «катодное распыление».
Реакти́вное ио́нное травле́ние (РИТ) — технология удаления материала с поверхности подложки (травление), используемая в микроэлектронике, где химически активная плазма используется для удаления материала с подложки.
Плазменная сварка - сварка, источником энергии при которой является плазменный поток.
Кривцун Игорь Витальевич — советский ученый-специалист в области сварки и родственных технологий, 2011 — лауреат Государственной премии Украины в области науки и техники, 2012 — академик Национальной академии наук Украины.
Финишное плазменное упрочнение (ФПУ) — безвакуумный и бескамерный процесс плазмоструйного осаждения покрытий из газовой фазы с одновременной плазменной активацией газового потока и напыляемой поверхности детали.
Изготовление отверстий плазмою(плазменное сверление)
Плазменное напыление в вакууме
Схема установки плазменного сваривания: 1 — Плазмообразующий газ. 2 — Защитная насадка. 3 — Струя. 4 — Електрод. 5 — Насадка сужения. 6 — Электрическая дуга.
Оборудование плазменной поверхностной обработки (очищение)