Фи́зика твёрдого те́ла — раздел физики конденсированного состояния, задачей которого является описание физических свойств твёрдых тел с точки зрения их атомного строения. Интенсивно развивалась в XX веке после открытия квантовой механики. Развитие стимулировалось широким спектром важных задач прикладного характера, в частности, развитием полупроводниковой техники.
Евро́пий — химический элемент 3-й группы шестого периода периодической системы химических элементов Д. И. Менделеева с атомным номером 63.
Электро́ника — наука о взаимодействии электронов с электромагнитными полями и о методах создания электронных приборов и устройств, в которых это взаимодействие используется для преобразования электромагнитной энергии. Работа электронных устройств основана на перемещении носителей тока в вакууме, газе или твёрдых телах, а также других физических принципах.
Зо́нная тео́рия твёрдого те́ла — квантовомеханическая теория движения электронов в твёрдом теле.
Лазерный диод — полупроводниковый лазер, построенный на базе диода. Его работа основана на возникновении инверсии населённостей в области p-n перехода при инжекции носителей заряда.
p-n перехо́д или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной и электронной. Электрические процессы в p-n переходах являются основой работы полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой.
Твёрдое те́ло — одно из четырёх основных агрегатных состояний вещества, отличающееся от других агрегатных состояний стабильностью формы и характером теплового движения атомов, совершающих малые колебания около положений равновесия.
Леони́д Вениами́нович Ке́лдыш — советский и российский физик-теоретик, академик РАН, доктор физико-математических наук (1965), профессор. Работы Л. В. Келдыша сыграли важную роль в развитии физики твёрдого тела.
Слой обогаще́ния — область в полупроводнике около его поверхности или стыка с другим материалом, концентрация основных носителей заряда в которой больше, чем в равновесном состоянии полупроводника. Типичная толщина этого слоя составляет несколько нанометров.
Спинтроника — это область науки и техники, занимающаяся созданием, исследованием и применением электронных приборов, в которых спин электрона наравне с его зарядом используется для получения, обработки и передачи информации.
Поверхностные состояния, — электронные состояния, пространственно локализованные вблизи поверхности твёрдого тела.
Гига́нтское магнетосопротивле́ние, гигантское магнитосопротивление, ГМС — квантовомеханический эффект, наблюдаемый в тонких металлических плёнках, состоящих из чередующихся ферромагнитных и проводящих немагнитных слоёв. Эффект состоит в существенном изменении электрического сопротивления такой структуры при изменении взаимного направления намагниченности соседних магнитных слоёв. Направлением намагниченности можно управлять, например, приложением внешнего магнитного поля. В основе эффекта лежит рассеяние электронов, зависящее от направления спина. За открытие гигантского магнетосопротивления в 1988 году физики Альбер Ферт и Петер Грюнберг были удостоены Нобелевской премии по физике в 2007 году.
Ро́берт Арно́льдович Су́рис — советский и российский физик-теоретик, доктор физико-математических наук (1974), профессор (1982), академик РАН (2006), лауреат Государственной премии РФ (2001).
Ио́нная импланта́ция — способ введения атомов примесей (имплантата) в поверхностный слой материала, например, пластины полупроводника или эпитаксиальной плёнки путём бомбардировки его поверхности пучком ионов с высокой энергией.
Полупроводниковые материалы — вещества с чётко выраженными свойствами полупроводник, включая комнатную полупроводниковых приборов. Удельная электрическая проводимость σ при 300 К составляет 10−4−10~10 Ом−1·см−1 и увеличивается с ростом температуры. Для полупроводниковых материалов характерна высокая чувствительность электрофизических свойств к внешним воздействиям, а также к содержанию структурных дефектов и примесей.
Кафедра микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ» — кафедра факультета электроники Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина).
Инжекция горячих носителей — это явление в устройствах твердотельной электроники, при котором электрон или дырка получает достаточную кинетическую энергию для преодоления потенциального барьера, что необходимо для смены состояния. Термин «горячий» указывает на эффективную температуру, используемую для моделирования плотности носителей, и не относится к температуре устройства. Так как носители заряда могут быть пойманы затвором диэлектрика МОП-транзистора, то переключение характеристик транзистора может быть произведено навсегда. Инжекция горячих носителей является одним из механизмов, который отрицательно сказывается на надёжности полупроводниковых твердотельных устройств.
Николай Николаевич Сибельдин — советский и российский учёный-физик, специалист в области физики полупроводников, член-корреспондент РАН (2008).
Вита́лий Ива́нович Стафе́ев — советский и российский учёный в области физики полупроводниковых приборов, сенсоров, микро- и фотоэлектроники. Заслуженный деятель науки РСФСР (1979); Лауреат Государственной премии СССР в области науки и техники (1982) и (1986), Лауреат Государственной премии РФ в области науки и техники (2000).
