Транзи́стор, полупроводнико́вый трио́д — электронный компонент из полупроводникового материала, способный небольшим входным сигналом управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
Биполя́рный транзи́стор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками. Именно поэтому прибор получил название «биполярный», в отличие от полевого (униполярного) транзистора.
Дио́д — двухэлектродный электронный компонент, обладающий различной электрической проводимостью в зависимости от полярности приложенного к диоду напряжения. Диоды обладают нелинейной вольт-амперной характеристикой, но в отличие от ламп накаливания и терморезисторов, у диодов она несимметрична.
Электро́ника — наука о взаимодействии электронов с электромагнитными полями и о методах создания электронных приборов и устройств, в которых это взаимодействие используется для преобразования электромагнитной энергии. Работа электронных устройств основана на перемещении носителей тока в вакууме, газе или твёрдых телах, а также других физических принципах.
Дио́д Шо́ттки — полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом пропускании тока.
Тири́стор (от ТИРатрон + транзИСТОР) — полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n-переходами и имеющий два устойчивых состояния:
- «закрытое» состояние — состояние низкой проводимости;
- «открытое» состояние — состояние высокой проводимости
Полево́й (униполя́рный) транзи́стор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
Составно́й транзи́стор — электрическое соединение двух биполярных транзисторов, полевых транзисторов или IGBT-транзисторов с целью улучшения их электрических характеристик. К этим схемам относят так называемую пару Дарлингтона, пару Шиклаи, каскодную схему включения транзисторов, схему так называемого токового зеркала и др.
Транзи́сторно-транзи́сторная ло́гика — разновидность цифровых логических микросхем, построенных на основе биполярных транзисторов и резисторов. Название транзисторно-транзисторный возникло из-за того, что транзисторы используются как для выполнения логических функций, так и для усиления выходного сигнала.
МОП-транзи́стор, или Полево́й (униполя́рный) транзи́стор с изоли́рованным затво́ром — полупроводниковый прибор, разновидность полевых транзисторов. Аббревиатура МОП образована от слов «металл-оксид-полупроводник», обозначающих последовательность типов материалов в основной части прибора.
Диодно-транзисторная логика (ДТЛ), англ. Diode–transistor logic (DTL) — технология построения цифровых схем на основе биполярных транзисторов, диодов и резисторов. Своё название технология получила благодаря реализации логических функций с помощью диодных цепей, а усиления и инверсии сигнала — с помощью транзистора.
Интегра́льно-инжекцио́нная ло́гика (распространённые аббревиатуры ИИЛ, И2Л, И2Л, И3Л, I2L, IIL, I2L) — схемотехника и технология изготовления логических элементов на биполярных транзисторах.
Одноперехо́дный транзи́стор — полупроводниковый прибор с тремя электродами и одним p-n переходом. Однопереходный транзистор принадлежит к семейству полупроводниковых приборов с вольт-амперной характеристикой, имеющей участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением.
Логические элементы — устройства, предназначенные для обработки информации в цифровой форме. Физически логические элементы могут быть выполнены механическими, электромеханическими, электронными, пневматическими, гидравлическими, оптическими и другими.
Дио́д с ре́зким восстановле́нием — двухэлектродный полупроводниковый прибор на основе p-n- или p-i-n- структуры, функционирование которого базируется на феномене быстрого изменения сопротивления от очень низких до очень высоких значений при напряжении обратной полярности, поданном сразу после приложения напряжения прямой полярности. При соответствующих схемотехнических решениях данный прибор способен работать как генератор импульсов специальной формы, в особенности коротких узких «пиков».
Дифференциальный каскад, также дифференциальный усилитель, балансный каскад, параллельно-балансный каскад, каскад с катодными связями или каскад с эмиттерными связями — электронный усилительный каскад, образуемый симметричным включением двух схем с общим эмиттером, общим истоком или общим катодом. Эмиттеры дифференциальной пары активных приборов соединены и подключены к общему источнику стабильного тока. Выходными сигналами каскада служат непосредственно токи двух коллекторов или напряжения на подключённых к ним нагрузкам. Идеальный дифференциальный каскад усиливает только напряжение, приложенное между его входам, и не реагирует на общую составляющую входных напряжений — таким образом каскад подавляет усиление внешней электромагнитной помехи, действующей на оба входа одновременно.
Лави́нный дио́д — подкласс полупроводниковых диодов с p-n переходом. Представляет собой разновидность стабилитрона. Обычно изготавливается из кремния.
Стабилитрон со скрытой структурой — интегральный кремниевый стабилитрон в котором, в отличие от обычных стабилитронов, под p-n-переходом создана скрытая область (островок) с высокой концентрацией акцепторных примесей. Благодаря тому, что ток пробоя такого стабилитрона концентрируется не в приповерхностных, а в скрытых слоях, его характеристики стабильны и предсказуемы. Прецизионные интегральные источники опорного напряжения (ИОН) на ССС — наиболее точные и стабильные из всех производимых типов ИОН. Лучшие ИОН на ССС приближаются по совокупности показателей точности к нормальному элементу Вестона.
TL431 — интегральная схема (ИС) трёхвыводного регулируемого параллельного стабилизатора напряжения с улучшенной температурной стабильностью. С внешним делителем TL431 способна стабилизировать напряжения от 2,5 до 36 В при токах до 100 мА. Типичное отклонение фактической величины опорного напряжения от паспортного значения измеряется единицами мВ, предельно допустимое отклонение составляет несколько десятков мВ. Микросхема хорошо подходит для управления мощными транзисторами; её применение в связке с низковольтными МДП-транзисторами позволяет создавать экономичные линейные стабилизаторы с особо низким падением напряжения. В схемотехнике импульсных преобразователей напряжения TL431 — фактический отраслевой стандарт усилителя ошибки стабилизаторов с оптронной развязкой входных и выходных цепей.
Крутизна́ переда́точной характери́стики активного электронного прибора — биполярного транзистора, полевого транзистора, электронной лампы или сложного схемотехнического узла — величина, характеризующая действие управляющего электрода на управляемый прибором ток.