Фосфид индия

Перейти к навигацииПерейти к поиску
Фосфид индия
Изображение молекулярной модели
Общие
Хим. формулаInP
Физические свойства
Молярная масса145.79 г/моль
Плотность4.81 г/см³
Термические свойства
Температура
 • плавления1062 °C
Структура
Кристаллическая структура кубическая, структура сфалерита
Классификация
Рег. номер CAS22398-80-7
PubChem
Рег. номер EINECS244-959-5
SMILES
InChI
ChemSpider
Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное.
Логотип Викисклада Медиафайлы на Викискладе

Фосфид индия (InP) — химическое соединение индия и фосфора. Важный прямозонный полупроводник с шириной запрещенной зоны 1,34 эВ при 300 K. Используется для создания сверхвысокочастотных транзисторов, диодов Ганна. Твёрдые растворы на основе InP используются для создания светодиодов, лазерных диодов, лавинных фотодиодов.

По высокочастотным свойствам превосходит арсенид галлия.

Ссылки